个人简历

彭守仲，副教授，博导，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院院长助理、北航合肥创新研究院微纳科学与技术研究中心副主任。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位，2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养，2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位，被评为北航优秀博士毕业生，同年入职北京航空航天大学微电子学院教师岗。\r
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长期从事自旋电子学、磁随机存储器、微电子器件、磁性材料、磁性物理等方面的理论和实验研究。已发表高水平论文30余篇，被引1000余次；其中作为第一作者或通讯作者在Nature Electronics、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical B等高水平SCI期刊发表论文10余篇，被引400余次，单篇最高被引100余次；一篇论文入选Wiley半月精选论文，一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics；申请发明专利10余项，获授权4项，专利转化2项；参与编写教材3部，其中2部获批工信部“十四五”规划教材，1部入选“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇，该会议具有60多年历史，被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”，这是北航历史上首次在该会议发表论文，也是中国大陆首次在该会议发表磁随机存储器（MRAM）研究论文。多次在国际磁学年会（INTERMAG）、国际磁学与磁性材料大会（MMM）等重要学术会议上做报告，担任2021年INTERMAG和2022年MMM等会议的分会场主席，受邀在国际前沿材料大会（ICFM）、自旋量子态调控科技论坛等学术会议做邀请报告，参加国际自旋存储与逻辑研讨会（SML）并获最佳海报奖。\r
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获中国电子学会推荐入选第七届中国科协“青年人才托举工程”，主持了国家自然科学基金、北航青年拔尖人才支持计划、北航合肥创新研究院科研项目子课题等项目6项，参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项、华为海思公司技术合作项目等项目，获批科研经费800余万元。制定中国电子学会团体标准5项，2次获得中国电子学会成果鉴定，荣获中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖、华为奥林帕斯先锋奖。\r
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在北航首次开设并主讲了本科核心专业课《微电子器件实验》（16理论课时+32实验课时）、研究生课《集成电路技术开放实验》（18实验学时）和《集成电路技术综合实验》（18实验学时），其中《微电子器件实验》入选校级课程思政示范课程立项；参与讲授了本科生核心通识课《自旋电子科技前沿》和研究生课《自旋电子学前沿进展》，其中《自旋电子科技前沿》入选北京高校优质本科课程。已指导博士生3人、硕士研究生12人、本科毕设6人，担任本科生班主任及学业导师，被评为北航学院“优秀导师”（2020年-2022年）和“优秀班主任”（2020年），获“北京市教育教学成果奖二等奖”、“北航优秀教学成果奖一等奖”、“第二届全国高校电子信息类专业课程实验案例设计竞赛全国一等奖”、“北航集成电路学院优秀共产党员”等奖励。

研究领域

微电子学\r
自旋电子学\r
磁随机存储器\r
磁性材料及薄膜\r
微纳器件制备及测试\r
第一性原理与微磁学仿真""

近期论文

Peng S, Zhu D, Li W, et al.. Exchange bias switching in an antiferromagnet/ferromagnet bilayer driven by spin-orbit torque. Nature Electronics. 2020, 3(12): 757-764. https://www.nature.com/articles/s41928-020-00504-6\r
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Lu J, Li W, Liu J, Liu Z, Wang Y, Jiang C, Du J, Lu S, Lei N, Peng S*, Zhao W, Voltage-gated spin-orbit torque switching in IrMn-based perpendicular magnetic tunnel junctions. Applied Physics Letters. 2023, 122(1): 012402.\r
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Chen R, Wang X, Cheng H, Lee KJ, Xiong D, Kim JY, Li S, Yang H, Zhang H, Cao K, Kl?ui M, Peng S*, Zhang X*, Zhao W*. Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Physical Science. 2021, 2:100618.\r
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Li W, Peng S*, Lu J, et al.. Experimental demonstration of voltage-gated spin-orbit torque switching in antiferromagnet/ferromagnet structure. Physical Review B. 2021, 103(9): 094436.\r
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Cheng H, Chen J, Peng S*, et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Advanced Electronic Materials. 2020, 6(8): 2000271.\r
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Xiong D, Peng S*, et al.. Modulation of thermal stability and spin-orbit torque in IrMn/CoFeB/MgO structures through atom thick W insertion. Applied Physics Letters. 2020, 117(21): 212401. \r
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Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33): 334001.（编辑优选论文）\r
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Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. （北航历史上第一篇IEDM论文）\r
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Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.（Wiley半月精选论文，Wiley Advanced Science News专题报道）\r
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Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11): 1300705.\r
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Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.（入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics）\r
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Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111(15): 152403.\r
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Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017, 8: 3105805.\r
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Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015, 5: 18173.