乔明
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资料介绍
个人简历
男,副教授,生于1981年,中共党员,研究生学历,博士学位。2008年获微电子与固体电子学专业博士学位。研究领域
1.集成电路设计与制造2.微电子系统集成与三维封装测试近期论文
1.300 V high side thin layer SOI field pLDMOS with MFP based on FI technology,IEEE Electron Device Letters,2012年10月,核心期刊(SCI收录),第1作者2.Analysis of back-gate effect on breakdown behaviour of over 600V SOI LDMOS transistors,Electronics Letters,2007年11月,核心期刊(SCI收录),第1作者3.Breakdown voltage model and structure realization of the thin silicon layer linear variable doping SOI high voltage device with multiple step field plates,Chinese Physics B,2012年10月,核心期刊(SCI收录),第1作者 相关热点