黎明
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资料介绍
个人简历
黎明,从事微纳电子器件技术研究,博士生导师。2003年至2011年间曾就职于三星电子半导体研发中心,从事先进半导体器件与工艺技术研发,先后在多桥接沟道器件(MBCFET,即现在的Nanosheet FET),围栅纳米线器件等领域取得重要成果,在2009年VLSI会议上首次发表了栅长10纳米以下的围栅纳米线器件。还在22纳米大规模集成电路技术研发中担任器件模块的负责人。2011年加入北京大学后继续从事微纳尺度新器件技术的研究,在围栅纳米线和高迁移率沟道器件方面取得了丰富的成果,担任了国家重大专项、重点研发计划、863计划、自然科学基金面上项目等多个课题的负责人。目前已发表学术论文60多篇,取得授权专利48项。此外,还担任了IEEE EDL, T-ED, Nanotechnology, Scientific Report, APL等专业期刊的审稿人,担任了Nanotechnology的客座编辑。研究领域
纳米器件与工艺 相关热点