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陈祝
2023-05-08 11:31
  • 陈祝
  • 陈祝 - 教授 硕士生导师-成都信息工程大学-通信工程学院(微电子学院)-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


女,教授,生于1964年,中共党员,博士。2006年在电子科技大学,微电子与固体电子学院 获电子材料专业博士学位。于2013年在美国佐治亚理工大学,材料科学与工程学院做访问学者。现任成都信息工程学院、通信工程学院微电子教研室主任。

研究领域


1.集成电路制造技术
2.SOC/SIP系统芯片封装及测试技术
3. 集成电路信息功率半导体器件

近期论文


1.The effects of the PbO content and seeding layers upon the microstructure and orientation of sol-gel derived PZT films. Journal of Materials Science-Materials in Electronics,Vol.17, No.1(2006)51-57(SCI:994IC,EI:06019622231 检索)第1作者
2.PbO volatilization and annealing conditions investigation of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin films fabricated by sol-gel method. Materials Science & Engineering B,123(2005)143-148(SCI:972FR,EI :05389369810 检索)第1作者
3.Preferred orientation controlling of PZT (52-48) thin films prepared by sol–gel process. Journal of Crystal Growth, 285 (2005) 627–632(EI :05499522731检索)第1作者
4.Investigation the effects of PbO content and seeding layers of TiO2 and ZrO2 on the orientation and microstructure of Pb(Zr0.52Ti0.48 )O3 ferroelectric films grown by reverse dip-coating method of sol-gel. Materials Letters. 60 (2006) 1559–1564(EI :06139788751检索)第1作者
5.ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究. 无机材料学报.2006 21(4): 1011-1017 (SCI: 079XH, EI: 064210185196检索)第1作者
6.Investigation the effects of the excess Pb content and annealing conditions on the microstructure and ferroelectric properties of PZT (52-48) films prepared by sol-gel method .Applied Surface Science. Volume 253, Issue 3 , 30 November 2006, Pages 1500-1505,(SCI检索号:116QS,EI检索号:064610234541)第1作者
7.高度(002)择优取向Li+掺杂ZnO薄膜的制备和性能,材料研究学报, 2007年、4期,(EI: 073910834330)第1作者
8. PZT/ZnO薄膜制备及其结构特性研究,功能材料,Vol.40 No.12,2009年12月,Pages 2087-2091 (EI检索号:20100412666494)
9. Sol-Gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术.功能材料.2004,Vol.35,No.4,417-419+422 (EI :04468459221检索),第1作者

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