张兴
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资料介绍
个人简历
个人简介国家自然科学基金委杰出青年基金获得者,973项目首席科学家,中国电子学会半导体与集成技术分会副主任,中国计算机学会微机专业委员会主任,科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)等期刊的编委。已发表学术论文200余篇,申请发明专利100余项,其中获得授权40余项,获国家技术发明二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部科技进步一等奖等多项国家和省部级奖励。个人简历1999-北京大学,教授1996.09-1999.08北京大学,副教授1996.01-1996.08香港科技大学,访问学者1995.06-1995.12北京大学,讲师1993.06-1995.05北京大学,博士后1989.04-1993.04陕西微电子研究所,获博士学位1986.09-1989.04陕西微电子研究所,获硕士学位1982.09-1986.07南京大学物理系,获学士学位主讲课程《微电子学概论》本科生/研究生课程该课程被评为北京市精品课程,编写的教材《微电子学概论》获教育部高等学校优秀教材二等奖,课程链接:http://www.ss.pku.edu.cn/ICBasic/index.html《半导体器件与工艺》研究生课程主要科研项目主持了三个国家973项目:超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究(2011-2015年)纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究(2006-2011年)系统芯片(SystemOnChip)中新器件新工艺基础研究(2000-2005年)曾获奖项获国家技术发明二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部科技进步一等奖等多项国家和省部级奖励。研究领域
研究方向新结构器件、纳米级MOS器件CMOS集成电路设计及加工工艺嵌入式系统设计近期论文
1. Hai Jiang, Xiaoyan Liu, Nuo Xu, Yandong He, Gang Du, and Xing Zhang, Investigation of Self-Heating Effect on Hot Carrier Degradation in Multiple-Fin SOI FinFETs, IEEE Electron Device Letters, 36(12):1258-1260, 2015.2. Hai Jiang, Nuo Xu, Bing Chen, Lang Zeng, Yandong He, Gang Du, Xiaoyan Liu, Xing Zhang, Experimental investigation of self heating effect (SHE) in multiple-fin SOI FinFETs, Semiconductor Science and Technology, 29(11):115021-1-7, 2014.3. Fei Tan, Ru Huang, Xia An, Yimao Cai, Yue Pan, Weikang Wu, Hui Feng, Xing Zhang, and YangYuan Wang, Investigation on the Response of TaOx-based Resistive Random-Access Memories to Heavy-Ion Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 60(6):4520-4525, 2013.4. Zhiqiang Li ; Xia An ; Quanxin Yun ; Meng Lin ; Min Li ; Ming Li ; Xing Zhang ; Ru Huang, Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge n+/p Diode Achieved by Multiple Implantation and Multiple Annealing Technique, IEEE Electron Device Letters, 34(9):1097-1099, 2013.5. Zhiqiang Li, Xia An, Min Li, Quanxin Yun, Meng Lin, Ming Li, Xing Zhang, Ru Huang, Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation, IEEE Electron Device Letters, 34(5):596-598, 2013.6. Wenliang Bai, Ru Huang, Yimao Cai, Yu Tang, Xing Zhang, Yangyuan Wang, Record Low-Power Organic RRAM With Sub-20-nA Reset Current, IEEE Electron Device Letters, 34(2):223-225, 2013.7. Zhiqiang Li, Xia An, Min Li, Quanxin Yun, Meng Lin, Ming Li, Xing Zhang, Ru Huang, Low Electron Schottky Barrier Height of NiGe/Ge Achieved by Ion Implantation After Germanidation Technique, IEEE Electron Device Letters, 33(12):1687-1689, 2012.8. Xingye Zhou, Feng Liu, Lining Zhang, Cheng Wang, Jin He, Xing Zhang, Mansun Chan, Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 59(7):1997-1999, 2012.9. Yue Guo, Xia An, Runsheng Wang, Xing Zhang, Ru Huang, Investigation on Morphology and Thermal Stability of NiGe Utilizing Ammonium Fluoride Pretreatment for Germanium-Based Technology, IEEE Electron Device Letters, 32(4)554-556, APRIL 2011.10. Shoubin Xue, Pengfei Wang, Ru Huang, Xing Zhang, Investigation of the off-State Behavior in Deep-Submicrometer NMOSFETs Under Heavy-Ion Irradiation by 3-D Simulation, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 11(1):13-18, 2011.社会服务国家自然科学基金委杰出青年基金获得者973项目首席科学家中国电子学会半导体与集成技术分会副主任中国计算机学会微机专业委员会主任科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)等期刊的编委 相关热点