彭松昂
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资料介绍
个人简历
教育背景2010.9-2015.6,中国科学院大学研究生院,微电子学与固体电子学,博士2006.9-2010.6,河南大学,物理学,学士工作简历2018.3-至今,中国科学院微电子研究所,副研究员2015.7-2018.3,中国科学院微电子研究所,助理研究员研究领域
二维材料电子器件与电路近期论文
1、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“HowDoContactandChannelContributetotheDiracPointsinGrapheneField‐EffectTransistors?”,Adv.Electron.Mater,2018,4(8).2、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“Carrier-Number-FluctuationInducedUltralow1/fNoiseLevelinTop-GatedGrapheneFieldEffectTransistor”,ACS.Appl.Mater.Interfaces,2017,9(8),pp6661–6665.3、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“Evidenceofelectricfieldtunabletunnelingprobabilityingrapheneandmetalcontact”,Nanoscale.2017,9(27),9520-9528.4、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Effectofsource-gatespacingondcandrfcharacteristicofgraphenefieldeffecttransistor”,Appl.Phys.Lett.106(2015)022504.5、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Thesheetresistanceofgrapheneundercontactanditseffectonthederivedspecificcontactresistivity”,Carbon.82(2015)pp.500-505.6、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Heavilyp-typedopedchemicalvapordepositiongraphenefield-effecttransistorwithcurrentsaturation”,Appl.Phys.Lett.103(2013)223505.标签:
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