个人简历

个人简介
敖金平教授1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，并于2003年11月起加入德岛大学，主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授，国内多家大学的兼职教授。2016年5月起任本校特聘教授，博士生导师。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
（1）2017年国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项项目“GaN基新型电力电子器件关键技术”（项目编号：2017YFB0403000）
由西安电子科技大学作为项目牵头单位，联合北京大学、南京大学、深圳大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所、中山大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、香港科技大学深圳研究院、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、西安交通大学和杭州朗迅科技有限公司等12家单位共同申报的2017年国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项项目——“GaN基新型电力电子器件关键技术”于2017年7月获得国家科技部立项支持，项目总预算经费5156万元，其中，中央财政专项经费1489万元。
本项目以系统解决GaN基电力电子器件的增强型、高压、器件的稳定性和应用验证等方面的瓶颈问题为研究目标，掌握GaN基电力电子器件的外延层和器件结构设计、高质量的外延方法、器件工艺等关键技术，为GaN基电力电子器件的研制提供科学指导和解决方案。
荣誉获奖
1.补钰煜老师入选西安电子科技大学华山学者菁英计划。
科研团队
团队教师
1.敖金平教授
2.补钰煜副教授，华山学者菁英计划
3.王霄讲师
博士研究生
1.张亚萍
2.徐洋
3.王婷婷
4.陈治伟
5.何悦
硕士研究生
1.刘辰阳
2.任梦珂
3.徐杨
4.彭韬伟
5.赵家悦
6.冶琼
7.陈国强

研究领域

1．宽禁带半导体电子器件与单片集成电路；
2.半导体传感器
3．半导体光电气化学现象与器件
4．半导体器件的应用
5．其它新型半导体材料与器件
本人是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学(JSAP)会会员以及日本电子情报通信学会(IEICE)会员。