个人简历

刘晓迟，女，中南大学物理与电子学院特聘副教授。2012年于大连理工大学获得材料物理专业学士学位，获大连市优秀毕业生称号。2018年博士毕业于韩国成均馆大学先进纳米技术研究中心，获理学博士学位。长期以来专注于低维材料纳米器件载流子输运研究。研究方向包括改善低维材料器件的接触电阻、半导体器件改性以及多种半导体功能器件。致力于实现低能耗、高性能、多功能的复微纳电子功能器件及系统。研究涉及微纳电子学、微纳加工技术及半导体器件物理等。在Advanced Materials, ACS Nano, APL等SCI期刊发表论文20余篇，拥有两项美国专利，多次在国际顶尖会议作发言报告。博士期间，多次参与实验室与三星电子合作项目并担任子项目负责人。2016年获得国家优秀自费留学生奖学金，2017年曾赴美国哥伦比亚大学交流访问学习。\r
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教育经历\r
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[1] 2008.8-2012.6 \r
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大连理工大学理学学士学位 | 大学本科毕业 \r
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[2] 2012.8-2018.2 \r
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成均馆大学理学博士学位 | 博士研究生毕业 \r
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[3] 2017.3-2017.9 \r
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哥伦比亚大学 | 机械工程 | 访问学者 | 访问学者

研究领域

""长期以来专注于低维材料纳米器件载流子输运研究。研究方向包括改善低维材料器件的接触电阻、半导体器件改性以及多种半导体功能器件。致力于实现低能耗、高性能、多功能的复微纳电子功能器件及系统。研究涉及微纳电子学、微纳加工技术及半导体器件物理等。""""

近期论文

[1] X. Liu, D. Qu, L. Wang, M. Huang, Y. Yuan, P. Chen, Y. Qu†, J. Sun†, W. J. Yoo†, Charge density depinning in defective MoTe2 transistor by oxygen intercalation, Advanced Functional Materials, In press (2020) \r
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[2] X. Liu, D. Qu, Y. Yuan, J. Sun†, Self-terminated surface monolayer oxidation induced robust degenerate doping in MoTe2 for low contact resistance, ACS Applied Materials & Interfaces, 12(23), 26586, (2020)\r
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[3] X. Liu, Y. Yuan, Z. Wang, R. S. Deacon, W. J. Yoo, J. Sun†, Directly Probing Effective-Mass Anisotropy of Two-Dimensional ReSe2 in Schottky Tunnel Transistors, Physical Review Applied, 13, 044056, (2020)\r
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[4] X. Liu, Y. -H. Yuan, D. Qu, J. Sun†, Ambipolar MoS2 Field Effect Transistor by Spatially Controlled Chemical Doping, Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 13, 1900208, (2019)\r
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[5] X. Liu*, D. Qu*, M. S. Choi, C. Lee, H. Kim, W. J. Yoo†, Homogeneous Molybdenum Disulfide Tunnel Diode Formed via Chemical Doping, Applied Physics Letters, 112, 183103, (2018)\r
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[6] X. Liu*, D. Qu*, H. -M. Li, I. Moon, F. Ahmed, C. Kim, M. Lee, Y. Choi, J. H. Cho, J. Hone, W. J. Yoo†, Modulation of Quantum Tunneling via a Vertical Two-Dimensional Black Phosphorus and Molybdenum Disulfide p–n Junction. ACS Nano, 11(9), 9143-9150. (2017)\r
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[7] D. Qu*, X. Liu*, M. Huang, C. Lee, F. Ahmed, H. Kim, R. Ruoff, J. Hone, W. J. Yoo†, Carrier-Type Modulation and Mobility Improvement of Thin MoTe2, Advanced Materials, 29(39), 1606433, (2017)\r
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[8] X. Liu*, D. Qu*, J. Ryu, F. Ahmed, Yang Z, D. Lee, W. J. Yoo†, P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor, Advanced Materials, 28(12), 2345-2351, (2016)\r
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[9] X. Liu*, E. H. Hwang†, W. J. Yoo, S. Lee, B. -K. Cheong, High carrier mobility in Si-MOSFETs with a hexagonal boron nitride buffer layer, Solid State Communications, 209-210, 1-4, (2015)\r
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[10] D. Qu*, X. Liu*, F. Ahmed, D. Lee, W. J. Yoo†, Self-screened high performance multi-layer MoS2 transistor formed by using a bottom graphene electrode, Nanoscale, 7(45), 19273-19281, (2015)