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芮云军
2023-05-11 15:48
  • 芮云军
  • 芮云军 - 副教授-南京工业大学-数理科学学院-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


2001年苏州大学本科学士,2012年毕业于南京大学电子科学与工程学院,工学博士学位,目前任教于数理科学学院应用物理系及物理实验教学中心。主要承担基础课《大学物理》、《大学物理实验》及专业课《半导体器件与物理导论》的教学工作,积极参加教学改革,提高教学质量,发表了三篇教学论文。已经指导了十多名应用物理和光电专业学生的本科毕业论文设计。科研上主要从事硅基(Silicon)纳米薄膜材料的制备与光电性质研究。参加了包括973计划项目和国家自然科学基金项目在内的多个课题的研究。近年来,对金属纳米结构(nanowire,nanocube)产生了浓厚的兴趣,开始对其生长机制和光电应用进行了探索。目前承担了一项省优势学科青年基金(10万元),项目名称为“以Ag纳米线作为透明导电电极的Si纳米线太阳能电池的特性研究”。已经发表SCI论文20多篇,其中以通信作者和第一作者身份发表论文6篇。 2011年11月,参加了国立台湾大学举办的“第二届海峡两岸光电研习营”,获得 “沈墨最佳优秀论文奖”。2014年2月-2015年2月,以访问学者身份,在纽约州立大学布法罗分校化学与生物工程系的Mark.T. Swihart小组进行合作研究。

研究领域


硅基光电子学(Solar Cells,LED)、金属纳米结构光电子学""

近期论文


Yunjun Rui*, Weiliang Zhao, Dewei Zhu, Hengyu Wang, Guangliang Song, Mark. T Swihart*, Neng Wan, Dawei Gu, Xiaobing Tang, Ying Yang, Tianyou Zhang, “Understanding the effects of NaCl, NaBr and their mixtures on silver nanowire nucleation and growth in terms of the distribution of electron traps in silver halide crystals”Nanomaterials 8 (2018) 161
Yunjun Rui, Shuxin, Li, Yunqing Cao, Jun Xu, Wei Li, Kunji Chen, “Structural and electroluminescent properties of Si quantum dots/SiC multilayers” Appl. Sur. Sci.
269 (2013) 37
Yunjun Rui, Shuxin, Li, Jun Xu, Yunqing Cao, Wei Li, Kunji Chen,“Comparative study of electroluminescence from annealed amorphous SiC single layer an amorphous Si/SiC multilayers” J. Non-Cryst. Solids 358 (2012) 2114 – 2117
Yunjun Rui,Shuxin Li, Jun Xu, Chao Song, Xiaofan Jiang, Wei Li, Kunji Chen, Qimin Wang, Yuhua Zuo, “Size-dependent electroluminescence from Si quantum dots embedded in amorphous SiC matrix” J. Appl. Phys. 110 (2011) 064322
Yunjun Rui, Deyuan Chen, Jun Xu, Wei Li, Zhanhong Cen, Xinfan Huang, Kunji Chen,“Effects of hydrogen plasma annealing on the luminescence froma-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 multilayers”, Appl. Sur. Sci. 253 (2007) 8647-8651
Yunjun Rui, Deyuan Chen, Jun Xu, Yongjun Zhang, Ling Yang,Jiaxin Mei, Zhongyuan
Ma,Zhanhong Cen, Wei Li, Ling Xu, Xinfan Huang, and Kunji Chen, “Hydrogen-induced recovery of photoluminescence from annealed a-Si:H/a-SiO2 multilayers”, J.Appl. Phys. 98 (2005) 033532

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