个人简历

女，副教授，生于1974年，中共党员，研究生学历，博士学位。

研究领域

1．模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计
2．通信专用集成电路与系统集成芯片（SOC）设计
3．集成电路封装与测试技术

近期论文

[1] SOI SJ High Voltage Device with Linear Variable Doping Interface Thin Silicon Layer, 《ELECTRONICS LETTERS》, 1st March, Vol. 48, No. 5,2012 (SCI: 000300881100027; EI: 20121114866481 ) ，第一作者
[2] PB-SON RFLDMOS characteristics analysis. COMPEL - 《The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering》, Vol.29, No. 2, 2010 (SCI: 000277371500025; EI: 20101312803318 )，第一作者
[3] Novel high-voltage powerdevicebasedonself-adaptiveinterfacecharge. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No.2, 027101(1-8) 2011 (SCI: 000286970600063; EI: 20111113744051) ，第一作者
[4] A -188 V 7.2 Ω∙mm2 P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No. 8, 087101(1-8), 2011 (SCI: 000294810700049; EI: 2011341425567)，第一作者
[5] A novel partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes. 《 Chin. Phys. B》, Vol.20, No.10, 2011 (SCI: 000295969000058; EI: 20114214430767) ，第一作者