个人简历

陆磊 职称：助理教授
北京大学深圳研究生院，助理教授、博士生导师。国际电气与电子工程师学会IEEE会员，国际信息显示学会SID会员。苏州大学微电子系学士及硕士（导师：王明湘教授），香港科技大学电子及计算机工程系博士（导师：王文 教授）。2015年至2017年，任香港科大电子计算机工程系研究员、赛马会-香港科大高等研究院Postdoctoral Fellow（合作教授：郭海成 院士）。2017年至2019年，任香港科大研究助理教授，同时荣聘为高等研究院Junior Fellow（合作教授：邓青云 院士）。2019年6月起加入北京大学深圳研究生院，研究领域包括：半导体器件，如金属氧化物薄膜晶体管；先进显示技术，如超高像素密度的OLED蒸镀罩；柔性电子及传感器系统，如基于金属氧化物半导体的柔性传感器系统。已在知名国际期刊和会议上发表论文70余篇（SCI论文20篇），已申请中、美、国际专利21项（授权8项）。
讲授的课程：
超大规模集成电路工艺
Selected Patents
1. 陆磊，孙梽博，夏之荷，施闰霄，王文，郭海成，“液晶显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388622.9，2019年5月10日。
2. 陆磊，夏之荷，李佳鹏，王文，郭海成，“显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388640.7，2019年5月10日。
3. 陆磊，周玮，王文，郭海成，“Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors”，美国专利申请15/889,995，2017年2月20日。
4. 李佳鹏，陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7，授权，2017年11月15日。
5. 陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板”，中国发明专利201610964470.9，授权，2016年10月28日。
6. 陆磊，王文，郭海成，“一种电路结构及制作方法和显示器面板”，中国发明专利201610964428.7，授权，2016年10月28日。
7. 陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1191789.3，授权，2016年10月28日。
8. 陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1190870.0，授权，2016年10月28日。
9. 陆磊，王文，郭海成，“一种显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2，授权，2016年10月28日。
10. 陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE”，美国专利9,960,281，授权，2015年2月9日。
11. 陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY”，美国专利10,032,924，授权，2014年3月31日。
对计划招收研究生的基本要求：
1、专业范围： 微电子学，物理，电子信息科学与技术；
2、外语能力：英文六级或托福80、雅思6.0以上；
3、具有独立思考和勤奋坚韧的品格，对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。

研究领域

1、薄膜晶体管；2、先进显示；3、柔性电子及传感器。

近期论文

1. L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “High-Performance and Reliable Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays,” IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 802–805, Dec. 2016. (国际最顶级微电子学会议)
2. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018.
3. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018.
4. L. Lu, J. Li, H. S. Kwok, and M. Wong*, “Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistor: Technology and Characteristics,” IEEE Electron Device Lett., vol. 37, no. 6, pp. 728–730, 2016.
5. L. Lu, J. Li, and M. Wong*, “Thermally Induced Variation of the Turn-ON Voltage of an Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 11, pp. 3703–3708, 2015.
6. L. Lu* and M. Wong*, “A Bottom-Gate Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor With an Inherent Etch-Stop and Annealing-Induced Source and Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 2, pp. 574–579, 2015.
7. L. Lu*, J. Li, and M. Wong, “A Comparative Study on the Effects of Annealing on the Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors with Gate-Stacks of Different Gas-Permeability,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 8, pp. 841–843, 2014.
8. L. Lu* and M. Wong*, “The Resistivity of Zinc Oxide Under Different Annealing Configurations and Its Impact on the Leakage Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 4, pp. 1077–1084, 2014.
9. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “A New Observation of the Elliot Curve Waveform in Charge Pumping of Poly-Si TFTs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 506–508, 2011.
10. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “Geometric Effect Elimination and Reliable Trap State Density Extraction in Charge Pumping of Polysilicon Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 5, pp. 517–519, 2009.