个人简历

女，1981年3月生，蒙古族，内蒙古赤峰市人，博士，副教授，硕士生导师。现就职于理学院物理系物理电子学学科，已指导毕业硕士生4人，现在读硕士2人。
1999-2003年就读于内蒙古师范大学物理系物理学专业，获理学学士学位；2003-2008年就读于内蒙古大学理论物理专业，获得理学博士学位。
2．主讲课程
【1】本科生课程：大学物理、理论物理导论等
【2】研究生课程：量子力学、半导体材料设计等
5．科研项目
A．主持的项目
【1】内蒙古自然科学基金项目“GaN基核壳结构纳米线中的束缚电子态和带间跃迁特性研究”，主持人，（进行中）
【2】教育部春晖计划项目“应变半导体异质结构电子的动力学分析”，主持人，（已完成）
【3】内蒙古自然科学基金项目“氮化物应变量子阱结构中电子态”，主持人，（已结项）
B．参与的项目
【4】国家自然科学基金项目“择优位向（Al,Ga,In）和N共掺对ZnO光电性能影响的研究”
6．获得奖励
【1】2012年，内蒙古自治区优秀研究生指导教师。
【2】2014年，高等教育自治区级教学成果奖二等奖。

研究领域

【1】功能材料的量子力学计算

近期论文

【1】Liu Zhaoxu, Zhu Jun, Ha Sihua, Intersubband transitions in asymmetric quantum wells with external electric field, Applied Mechanics and Materials, 525, 170-176, 2014
【2】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Intersubband absorption in strained AlGaN/GaN double quantum wells, Physica B, 406, 3640-3645, 2011
【3】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Quantum confined Stark effect on intersubband transitions in strained wurtzite nitride quantum wells, Modern Physics Letters B, 25(22), 1847-1854, 2011
【4】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Screened excitons in strained wurtzite AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN quantum wells, Physica Status Solidi C, 8(1), 34-37, 2011
【5】Ha Sihua, Ban Shiliang, Zhu Jun, Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN quantum wells, Journal of Semiconductors, 32(4), 042001-042004, 2011
【6】郭海峰,哈斯花,朱俊,应变GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子的跃迁能,功能材料, 42, 241-244, 2011
【7】郭海峰,哈斯花,朱俊,外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态,发光学报, 31(6), 870-876, 2010