个人简历

1986年毕业于中国科学技术大学物理系，1989和1993年在中国科学院上海技术物理研究所分获理学硕士和博士学位，师从汤定元院士和方家熊院士，1998.11-2000.1美国国家标准和技术研究院客座研究员，从事大面积长波红外探测器空间和角响应分布均匀性、红外材料散射及其BRDF特性研究。现任中国科学院上海技术物理所党委书记、传感技术国家重点实验室副主任、量子科学实验卫星系统副总指挥、探月工程所级指挥、上海市传感技术学会理事长、中国宇航学会光电技术专业委员会副主任委员、中国仪器仪表学会传感器分会理事

研究领域

从事航天红外新型探测组件及其抗辐射机理与可靠性技术、低温封装与可靠性方面研究。主持风云系列气象、海洋和环境等卫星及神舟三号飞船等多项国家重大型号工程项目航天遥感红外光电传感器的研制，同时承担国家973、中科院知识创新工程、国防科工委基础科研、总装预研、总装型谱等项目。主要研究方向为我国气象卫星系列等空间多光谱多元探测组件技术、先进红外焦平面可靠性封装和试验技术、新型探测组件技术等"主要从事航天红外探测器、紫外焦平面等新型探测组件及其抗辐射机理与可靠性技术方面研究。"

近期论文

1. Deng HH, Tang HJ, Li, T; Li X, Wei P, Zhu YM, Gong HM*. (2012) The Temperature-dependent Photoresponse Uniformity of an InGaAs Subpixels Infrared Detector by the LBIC Technique. Semiconductor Science and Technology 27: 115018.
2. Gong HM, Tang HJ, Li X, Zhang KF, Li YF, Li T, Ning JH, Wang Y, Miao GQ, Song H, Zhang YG, Fang JX.(2009) Near-infrared InGaAs FPAs for Space Applications. Infrared and Laser Engineering 38(4): 574-582.
3. Zhang KF, Tang HJ, Wu XL, Li YF, Li T, Li X, Gong HM*. (2009) Effects of an Anodic Oxide Passivation Layer on Mesa-type InGaAs(PIN) Photodetectors. Semiconductor Science and Technology 24: 015008.
4. Tang HJ, Wu XL, Xu QF, Liu HY, Zhang KF, Wang Y, He XR, Li X, Gong HM*. (2008) Effect of Sulfur Passivation on the InP Surface Prior to Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition of SiNx. Semiconductor Science and Technology 23(3):1-5.
5. Tang HJ, Wu XL, Zhang KF, Li YF, Ning JH, Wang Y, Li X, Gong HM*.(2008) The Defect Density of a SiNx/In0.53Ga0.47As Interface Passivated Using (NH4)2Sx, Applied Physics A 91: 651-655.