个人简历

盖艳琴，女， 1980.03，山东烟台人，中共党员，中国矿业大学材料与物理学院,副教授, 硕导。
主要学术成果、学术荣誉：
（1）荣获 2017 年度国家自然科学奖二等奖，获奖的项目名称是“新型半导体深能级掺杂机制研究”（第二完成人）；
（2）江苏省2018 年青蓝工程优秀青年骨干教师；
（3）江苏省“333 高层次人才培养工程”；
（4）荣获2017年江苏省高校第十届基础物理教师上好一堂课竞赛一等奖 ；
（5）以第一(通讯)作者在 PRL、PRB、APL 等期刊发表 SCI 论文 10多篇，其中高被引 SCI 论文 1 篇。
从事教学情况：
讲授《大学物理》、《量子力学》、《半导体器件原理》、《大学物理实验》等本科生课程。
教育经历：
1999.09-2003.07， 鲁东大学， 物理学院， 理学学士；
2003.09-2006.07，吉林大学，物理学院，理学硕士；
2006.09-2009.07，中科院长春光机所、中科院北京半导体所、理学博士。
工作经历：
2009.07--今，中国矿业大学材料与物理学院 教师；
2014.09-2015-06， 中国科技大学安徽微尺度国家实验室，访问学者；
2018.10-2019.10，美国劳伦斯伯克利国家实验室，访问学者。
代表性教学和科研项目：
[1] 2010.9-2013.9 项目名称：晶格缺陷对ZnO中磁性影响的理论研究，校基本科研业务费项目主持（已结题）；
[2] 2011.1-2011.12 项目名称：能带调控提高ZnOp型掺杂效率的理论研究，国家自然科学基金-理论物理专款主持（已结题）；
[3] 2012.1-2014.12 项目名称：晶格缺陷对ZnO基d0铁磁体中所起作用的理论研究，国家自然科学基金-青年科学基金主持（已结题）；
[4] 2017.1-2019.12 项目名称：宽带隙类石墨烯材料掺杂改性的应力调控校学科前沿科学研究专项面上项目主持（在研）；
[5] 2018.01-2018.12 项目名称：大学物理“课程思政”示范项目，主持 （已结题）。
[6] 2018.07-2020.7项目名称:校级教改项目《数值模拟辅助《量子力学》教学的探索与研究》主持（在研）。

研究领域

"（1）宽带隙半导体掺杂改性的理论研究，包括n

近期论文

[1]Y.Q.Gai,J.P.Jiang,Y.X.Wu,et al.Strain Manipulated Magnetic Properties in ZnO and GaN Induced by Cation Vacancy.Journal of Electronic Materials.45(2016)3300-3306.
[2]Y.Q.Gai,J.P.Jiang,Y.X.Wu,et al.Can singly charged oxygen vacancies induce ferromagnetism in biaxial strained ZnO?Physica Scripta.91(2016)045801
[3]Y.Q.Gai,J.P.Jiang,Y.X.Wu,et al.Isotropic strains tuned hole-mediated ferromagnetism in nitrogen-doped ZnO.Physics Letters A.380(2016)465-469
[4].Y.Q.Gai,J.B.Li,S.S.Li,et al.Design of Narrow-Gap TiO2:A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity.Physics Review Letter(2009),102,036402.
[5].Y.Q.Gai,J.B.Li,S.S.Li,et al.,Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes:A density functional calculation.Physical Review B，(2009),80,153201.
[6].Y.Q.Gai,H.W.Peng,and J.B.Li,Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles.Journal of Physical Chemistry C(2009),113(52):21506-21511.
[7].Y.Q.Gai,B.Yao,Z.P.Wei,et al.Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO.Applied Physics Letters,2008,92,062110.