个人简历

钱磊 男 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
功能材料与纳米器件
纳米光电材料与器件，纳米材料合成的研究，量子点材料、半导体纳米材料，氧化物纳米材料，钙钛矿纳米材料，薄膜光电器件开发，薄膜半导体器件研发，光学
教育背景
2001-09--2005-07 北京交通大学 博士
1998-09--2001-07 河南大学 硕士
1992-09--1998-07 郑州大学 学士
工作简历
2019-09~现在, 中科院宁波材料所, 研究员
2015-08~2019-08,TCL工业研究院, 副总工程师
2009-03~2015-07,美国Nanophotonica公司, 副总裁
2006-04~2010-07,美国佛罗里达大学材料科学与工程系, 博士后
2005-09~2006-04,日本产业技术总合研究所(九州), 特别研究员
奖励信息
（1） 广东省珠江领军人才计划, 省级, 2017
专利成果
（ 1 ） 新型透明导电薄膜及其制备方法和应用, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810685195.6
科研项目
（ 1 ） AM-QLED 工艺集成和工程化研究, 主持, 国家级, 2016-06--2021-06

研究领域

"1、纳米材料合成的研究，量子点材料、半导体纳米材料，氧化物纳米材料、钙钛矿纳米材料的研究。2、薄膜光电器件开发（量子点、有机、钙钛矿、二维材料等）；薄膜半导体器件研发（OLED，QLED，LCD等）。3、量产工艺，喷墨打印、涂布、卷对卷工艺、柔性封装工艺，化学化工合成放大、化工放大设备等；真空镀膜工艺，包括热蒸发、溅射、ACD、PECVD等。4、机理研究：超快光谱学、低温固体物理电学等的研究。"

近期论文

（1） High efficiency and stability of ink-jet printed quantum dot light emitting diodes, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 通讯作者
（2） On the degradation mechanisms of quantum-dot light-emitting diode s, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 通讯作者
（3） Highly Stable QLEDs with improve d hole injection via quantum dot structure tailoring, NATURE COMMUNICATIONS, 2018, 通讯作者
（4） High efficiency solution-process ed thin-film Cu(In,Ga)(Se,S)(2) solar cells, ENERGY and ENVIRONMENTAL S CIENCE, 2016, 通讯作者
（5） High efficiency light emitting d evice based on quantum dots with tailored nanostructures, NATURE PHOTONICS, 2015, 通讯作者