个人简历

马文全，男，博士，研究员，博士生导师。
兰州大学物理系毕业，中科院半导体所理学硕士，德国洪堡大学理学博士，博士论文工作是在柏林Paul-Drude固体电子研究所从事的，2001-2004年在美国阿肯色大学物理系从事博士后研究工作。2004年10月加入中科院半导体所，2005年度中科院百人计划入选者。长期从事低维半导体结构的材料生长、物理特性及器件研究工作。
目前的研究兴趣主要是：半导体光电子材料及器件物理研究，锑化物红外探测器及激光器，新型低维半导体低维结构材料及器件。
取得的重要科研成果：
近几年主要取得的科研成果有：研制成功短波、中波、长波、甚长波及短/中波、中/长波、长/甚长波双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，短波、中波、长波及甚长波器件结构的超晶格材料X射线衍射卫星峰半宽最好结果分别为25、20、15及21弧秒，为世界最好水平;与兄弟单位合作研制成功高性能二类超晶格中波、长波及中/长波双色红外焦平面阵列器件，器件具有极低的噪声等效温度差；研制成功带间级联激光器;首次报道了二类超晶格材料中的多光子吸收现象，观察到双光子、5光子及11光子吸收等等。
在研/完成项目：
1、自然科学基金，“3-5微米InAs基带间级联激光器材料生长和研制”,2019.1-2022.12，直接经费63万，主持。
2、国家重点研发计划，“半导体低维极性界面及其量子调控”课题四，2017/07-2022/06，800万，参加
3、自然科学基金，“量子点红外探测器材料及器件物理研究”,2015.1-2018.12，90万，主持。
4、自然科学基金，“高性能长波长InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究”,2012.1-2015.12，70万，主持。
5、国家973项目“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，主持。
6、自然科学基金重大项目“InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”，2013.1-2017.12，416万，参加。
7、其他项目，850万，2016.01-2018.12，主持。

研究领域

半导体光电子材料及器件物理研究，锑化物红外探测器及激光器，新型低维半导体低维结构材料及器件。

近期论文

1.C.C.Zhao,J.L.Huang…,W.Q.Ma*,“Multiphotonabsorptionintype-IIInAs/GaSbsuperlatticestructure”,OpticsLett.,45,165(2020).
2.B.Y.Nie,J.L.Huang…,W.Q.Ma*,“LongwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorusingresonanttunnelingdiodestructure”,IEEEElectronDeviceLett.,41,73(2020).
3.C.C.Zhao,J.L.Huang…,W.Q.Ma*,“MonteCarlosimulationofavalanchenoisecharacteristicsoftypeIIInAs/GaSbsuperlatticeavalanchephotodiodes”,SolidStateCommunications,301,113699(2019).
4.B.Y.Nie,J.L.Huang…,W.Q.Ma*,“InAs/GaSbsuperlatticeresonanttunnelingdiodephotodetectorwithInAs/AlSbdoublebarrierstructure”,Appl.Phys.Lett.,114,053509(2019).
5.W.J.Huang,J.L.Huang…,W.Q.Ma*,“Short/Mid-WaveTwo-BandType-IISuperlatticeInfraredHeterojunctionPhototransistor”,IEEEPhoto.Technol.Lett.,31,137(2019).
6.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,etal.,“Two-ColorniBinTypeIISuperlatticeInfraredPhotodetectorWithExternalQuantumEfficiencyLargerThan100%”,IEEEElectronDeviceLett.38,1266(2017).
7.W.J.Huang,W.Q.Ma*,J.L.Huang,etal.,“ElectronmobilityofinvertedInAs/GaSbquantumwellstructure”,SolidStateCommunications,267,29(2017).
8.Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,J.L.Huang,etal.,“PushingDetectionWavelengthToward1μmbyTypeIIInAs/GaAsSbSuperlatticesWithAlSbInsertionLayers”,IEEEElectronDeviceLett.37,1166(2016).
9.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,etal.,“ExperimentaldeterminationofbandoverlapintypeIIInAs/GaSbsuperlatticebasedontemperaturedependentphotoluminescencesignal”,SolidStateCommunications,224,34(2015).
10.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,etal.,“ImpactofbandstructureofOhmiccontactlayersontheresponsefeatureofp-i-nverylongwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetector”,Appl.Phys.Lett.,106,263502(2015).
11.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,etal.,“Narrow-bandTypeIISuperlatticePhotodetectorwithDetectionWavelengthShorterthan2um”,IEEEPhoto.Technol.Lett.,27,2276(2015).
12.K.Liu,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,etal.,“Longerthan1.9μmphotoluminescenceemissionfromInAsquantumstructureonGaAs(001)substrate”,Appl.Phys.Lett.107,041103(2015).
13.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,andJ.Shao,“InterfaceeffectonstructuralandopticalpropertiesoftypeIIInAs/GaSbsuperlattices”,J.CrystalGowth.407,37(2014).
14.Q.Li,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,K.Cui,J.L.Huang,Y.Wei,etal.,“DarkcurrentmechanismofunpassivatedmidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticeinfraredphotodetector”,Chin.Sci.Bull.59,3696(2014).
15.K.Cui,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,etal.,“540-meVHoleActivationEnergyforGaSb/GaAsQuantumDotMemoryStructureUsingAlGaAsBarrier”,IEEEElectronDeviceLett.34,759(2013).
16.X.L.Guo,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.Wei,K.Cui,Y.L.Cao,andQ.Li,“Electricalpropertiesoftheabsorberlayerformid,longandverylongwavelengthdetectionusingtype-IIInAs/GaSbsuperlatticestructuresgrownbymolecularbeamepitaxy”,Semicond.Sci.Technol.28,045004(2013).
17.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,Y.L.Cao,X.L.GuoandJ.Shao,“HowtousetypeIIInAs/GaSbsuperlatticestructuretoreachdetectionwavelengthof2–3μm”,IEEEJ.QuantumElectro.48,1322(2012).
18.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,G.R.DengandY.L.Shi,“MidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorusingSiOxNypassivation”,Jpn.J.Appl.Phys.51,074002(2012).
19.K.Cui,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.L.Cao,Y.X.GuandT.Yang,“Multilayeredtype-IIGaSb/GaAsself-assembledquantumdotstructurewith1.35μmlightemissionatroomtemperature”,PhysicaE.45,173(2012).
20.Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,J.L.Huang,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“Narrow-bandlong-/very-longwavelengthtwo-colortype-IIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorbychangingthebiaspolarity”,Appl.Phys.Lett.100,173511(2012).
21.Y.Wei,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,J.L.Huang,Y.L.Cao,andK.Cui,“HighstructuralqualityoftypeIIInAs/GaSbsuperlatticesforverylongwavelengthinfrareddetectionbyinterfacecontrol”,IEEEJ.QuantumElectron.48,512(2012).
22.Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,J.L.Huang,,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“LongwavelengthinfraredInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorswithInSb-likeandmixedinterfaces”,IEEEJ.QuantumElectron.47,1475(2011).
23.K.Cui,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,J.L.Huang,,Y.Wei,Y.L.Cao,Z.Jin,andL.F.Bian,“Forwardbiasvoltagecontrolledinfraredphotodetectionandelectroluminescencefromap-i-nquantumdotstructure”,Appl.Phys.Lett.99,023502(2011).
24.Y.Wei,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,L.H.Chen,andY.L.Shi,“Verylongwavelengthquantumdotinfraredphotodetectorusingamodifieddots-in-a-wellstructurewithAlGaAsinsertionlayers”,Appl.Phys.Lett.98,103507(2011).
25.J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,andL.H.Chen,“Two-colorIn0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9Asquantumdotinfraredphotodetectorwithdoubletunnellingbarriers”,Appl.Phys.Lett.98,103501(2011).