个人简历

1982年毕业于北京大学无线电系，同年考取中国科学院半导体所研究生，1991年获博士学位，1993-1996年在德国柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士后和客座研究员。1998年获国家杰出青年基金，曾任国家863计划光电子主题专家组成员。主要从事III-V族化合物半导体的材料生长，物理分析，以及器件研究。现为我所所长，研究员，博士生导师，同时为香港大学荣誉教授，北京邮电大学和同济大学客座教授，中国电子学会电子材料分会副主任委员。
1992年在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器，使当时国内MOCVD材料生长技术和量子阱激光器研制水平同时都上了一个台阶，达到当时的国际水平；1999年成功研制出了世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件，开发成功了氮化镓基LED中游工艺产业化技术，与深圳方大合作率先在国内成功实现了氮化镓基蓝绿光LED的产业化；2004年研制出中国大陆第一支氮化镓基蓝光激光器。目前他正带领科研人员开展氮化镓基激光器、氮化镓基紫外探测器、硅衬底上氮化镓基发光器件及其集成技术等目前国际上氮化镓基半导体材料与器件以及开发领域的前沿课题的研究，主持了\

研究领域

""开展氮化镓基激光器、氮化镓基紫外探测器、硅衬底上氮化镓基发光器件及其集成技术等目前国际上氮化镓基半导体材料与器件以及开发领域的前沿课题的研究""""

近期论文

Thermal analysis of GaN-based laser diode mini-array, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 9 作者\r
\r
Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence, Applied Physics Letters, 2017, 第 10 作者\r
\r
GaN-Based Blue Laser Diodes With 2.2 W of Light Output Power Under Continuous-Wave Operation, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 10 作者\r
\r
Optical characterization of InGaN/GaN quantum well active region of green laser diodes, Applied Physics Express, 2017, 第 10 作者\r
\r
Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth, Applied Physics Letters, 2017, 第 10 作者\r
\r
Suppression of recombination in waveguide in c-plane InGaN-based green laser diodes, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 10 作者\r
\r
Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structures, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 8 作者\r
\r
Design of InP-based metamorphic high-efficiency five-junction solar cells for concentrated photovoltaics, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 2 作者