个人简历

孙钱，现任中科院苏州纳米所研究员、博导，器件部副主任，美国耶鲁大学博士，国家优秀青年科学基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。
2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2011年入选国家重点人才工程，2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者，2016年入选江苏省“双创团队”。
截止2020年7月，在Nature Photonics、Light: Science & Applications、ACS Photonics、 Electron Device Letters等期刊上发表了100余篇被SCI收录的学术论文，总引用1800余次。参与编写了英文专著一章，是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、ISPlasma、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。主持承担了国家重点研发计划课题、科技部863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划重点项目、江苏省重点研发计划项目等，累计合同经费逾6500万元。
十余年以来一直致力于第三代半导体GaN基材料生长及新型高效蓝绿光及紫外大功率LED、激光器、以及GaN基功率电子器件的研发与产业化。
1. 在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司，获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并在全球率先成功产业化，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾4亿人民币（毛利率逾40%），打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。孙钱博士因此荣获2016年国家技术发明一等奖。近年来致力于有自主知识产权的硅基AlGaN紫外LED的研发及产业化工作
2. 2016年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件）的室温连续电注入激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展，而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在Nature Photonics。
3. 在硅基GaN功率电子器件方面，孙钱研究员的课题组自主研发了基于P型栅的硅基GaN增强型电力电子器件和基于AlInGaN超薄势垒层的硅基GaN微波射频功率电子器件，器件性能目前处于国际先进水平，并且有望大幅降低成本，推进我国第三代半导体电力电子和微波射频功率电子器件的产业化进程。

研究领域

1. 硅基氮化镓GaN半导体材料生长与器件制备
2. 高效蓝绿光、及紫外LED与激光器等新型光电子器件
3. 第三代半导体GaN电力电子材料与器件(HEMT等)""

近期论文

现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。