个人简历

1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1994-1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所(Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft) 完成博士后工作，又先后在日本广岛大学 (日本科学技术振兴事业团研究员)和美国缅因大学从事科学研究工作。2000-2014年，在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。 2014年入选苏州工业园区金鸡湖双百人才（国际型学科领军人才）。现任中科院苏州纳米所研究员、博士生导师，纳米真空互联实验站副总指挥。在国际期刊(Appl.Phys.Lett.， Phys Review， JVST， Appl.Phys., Surf. Sci. 等)上发表论文三十多篇。

研究领域

半导体薄膜材料与器件物理，固体新材料生长、材料特性及表征、表面与界面分析。技术专长包括超高真空系统设计与应用，精密分析仪器与非常规测量设备的设计、安装、改进和操作。"主要成果：
1. 硅化物的表面界面研究荣获中国科学院自然科学成果奖；
2. 率先发表了不同结构 GaN 单晶薄膜的电子能带结构及 GaN/GaAs 异质结势垒的实验测量结果

近期论文