个人简历

1983－1987，成都地质学院（成都理工大学），本科；\r
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1987－1990，中国地质大学(北京)，硕士；\r
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2001－2004，英国伦敦大学国王学院，博士；\r
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1990－至今，中国地质大学(武汉)，任教。

研究领域

1、发光材料与半导体材料 \r
2、晶体生长与熔体结构""

近期论文

1． A.H. Zhong, J. Tan, H.L. Huang, S.C. Chen, M. Wang and S. Xu, Thickness effect on the evolution of morphology and optical properties of ZnO films, Applied Surface Science, 2011，257（9）: 4051-4055\r
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2． 钟爱华，谭劲，陈圣昌，包鲁明，艾飞，李飞. 衬底温度对N-Al共掺杂ZnO 薄膜形貌及光致发光性能的影响, 功能材料，2010，6(41)：1008-1011\r
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3． 艾飞, 谭劲, 李飞, 包鲁明, 钟爱华, 陈圣昌. 多种ZnO纳米结构和ZnO/ZnS核壳结构的制备, 液晶与显示, 2010, 25(1): 11-16\r
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4． 包鲁明，谭劲，池召坤，何谋春，艾飞，钟爱华，陈圣昌，透辉石-钙长石体系熔体在不同过冷条件下晶体生长研究, 矿物岩石，2009，29：17 - 22\r
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5． 池召坤，谭劲，包鲁明，艾飞，黄焱球，何谋春，李飞，熔体过冷度对透辉石晶体形貌、成分及过渡层性质的影响，人工晶体学报，2009，38（1）：88-94.\r
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6． 杨福华，谭劲，周成冈，凌芝，SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究，稀有金属，2009，33(3)：343-347\r
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7． 杨福华，谭劲，周成冈，罗红波，Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量变化的研究，物理学报，2008，57(2): 1109-1116.\r
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8． 罗红波，谭劲，杨福华，池召坤，In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响，功能材料，2007，38(增刊): 59-62.\r
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9． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and A. N. Larsen, Evolution of W optical center in Si-implanted epitaxial SiGe at low temperature annealing, Applied Physics Letters, 2007, 90: 041910.\r
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10． R.E. Harding G. Davies, J. Tan, P.G. Coleman, C.P. Burrows, J. Wong-Leung, Identification by photoluminescence and positron annihilation of vacancy and interstitial intrinsic defects in ion-implanted silicon, Journal of Applied Physics, 2006, 100 (7): 073501\r
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11． J. Tan, G. Davies, S. Hayama, and V. P. Markevich, The different behaviour of CiOi and CiCs defects in SiGe, Materials Science in Semiconductor Processing, 2006, 9: 58-61.\r
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12． J. Tan, S. R. Zhao, Q. Huang, G. Davies, and X. X. Mo, The microstructure of silicate varying with crystal and melt properties under the same cooling condition, Materials Research Bulletin, 2004, 39: 939-948.\r
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13． J. Tan, S. R. Zhao, W. F. Wang, G. Davies, and X. X. Mo, The effect of cooling rate on the structure of sodium silicate glass, Materials Science and Engineering B, 2004, 106: 295-299.\r
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14． S. Hayama, G. Davies, J. Tan, J. Coutinlo, R. Jones, and K. M. Itoh, Lattice isotope effects on optical transition in silicon, Physical Review B, 2004, 70: 035202.