个人简历

廖敏，男，博士，湖南省青年百人计划特聘专家。2006年和2009年分别本科和硕士毕业于湘潭大学微电子学专业和微电子学与固体电子学专业。硕士毕业后在日本东京工业大学物理电子系统工程专业攻读博士学位。由于突出的表现，在博士期间获得了日本学术振兴会(JSPS)博士特别研究员奖励(DC2)。2012年获得工学博士学位后，在JSPS基金的资助下，在该校继续从事微电子器件集成工艺方面的研究。2013年，加入该校元素战略研究中心，2015年被聘为该研究中心的助理教授。2016年2月入选为湖南省2015年度“百人计划”（青年百人计划）专家。2018年入选湖南省“湖湘青年英才”支持计划。
学习工作经历
教育经历：
理学学士(B.S.)2002.9-2006.6中国,湘潭大学,微电子学
工学硕士(M.E.)2006.9-2009.6中国,湘潭大学,微电子学与固体电子学
工学博士(Dr.Eng.)2009.10-2012.9日本,东京工业大学,物理电子系统工程
工作经历：
博士后2012.10-2015.3日本，东京工业大学
助理教授2015.4-2016.3日本，东京工业大学
湖南省青年百人计划专家2016.3-至今中国，湘潭大学
获奖情况
1.2011年4月，日本学术振兴会(JSPS)特别研究员(DC2)奖励，日本学术振兴会
2.2016年2月，湖南省“青年百人计划”，湖南省委组织部
发明专利
1.专利公开：廖敏,肖文武,周益春,彭强祥,钟向丽,王金斌,一种铁电薄膜晶体管及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201710426279.3
2.专利公开：廖敏,肖文武,周益春,彭强祥,钟向丽,王金斌,一种铁电场效应晶体管及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201710426277.4
3.专利公开：廖敏,肖文武,周益春,彭强祥,钟向丽,王金斌,一种单管单电容存储单元装置及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201710426275.5
4.专利公开：廖敏,肖文武,周益春,彭强祥,钟向丽,王金斌,一种铁电场效应晶体管及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201710426282.5
5.专利公开：廖敏,贾林飞,刘晨,刘恒,彭强祥,周益春,一种铁电薄膜晶体管及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:2018102377725
6.专利申请：廖敏,贾林飞,刘晨,刘恒,彭强祥,周益春,一种柔性铁电薄膜晶体管及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201810237396.X
7.专利申请：廖敏,刘晨,陈新,曾斌建,彭强祥,周益春,一种三维NAND铁电存储器及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201810181017.X
8.专利申请：廖佳佳,彭强祥,曾斌建,廖敏,周益春,一种非易失性铁电随机存储器及其制备工艺,中国发明专利,专利申请号:201810349753.1
9.专利申请：廖佳佳,彭强祥,曾斌建,廖敏,周益春,一种CMOS后端工艺嵌入式的铁电随机存储器及其制备方法,中国发明专利,专利申请号:201810348938.0
10.专利申请：廖佳佳,彭强祥,曾斌建,廖敏,周益春,一种高抗疲劳性的铁电栅场效应晶体管存储器及制备工艺,中国发明专利,专利申请号:201810348937.6
11.专利公开：彭强祥,刘巧灵,廖敏,周益春,一种基于氧化铪的铁电栅结构及其制备工艺,中国发明专利,专利申请号:201710417470.1
12.专利公开：彭强祥,刘巧灵,兰杨波,廖敏,杨琼,周益春,一种基于离子注入掺杂的氧化铪铁电栅制备方法,中国发明专利,专利申请号:201710306626.9
13.专利公开：蒋丽梅,徐肖飞,明浩,杨琼,彭强祥,周益春,廖敏,一种位错对铁电材料畴结构影响机理的分析方法和系统,中国发明专利,专利申请号:201710193785.2
14.专利公开：蒋丽梅,周芊骞,徐肖飞,明浩,廖敏,杨琼,彭强祥,周益春,一种铁电场效应晶体管模型的建立方法和系统,中国发明专利,专利申请号:201710193084.9
15.专利授权：钟向丽,廖敏,王金斌,周益春,一种制备镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电纳米线的方法,中国发明专利,专利号:ZL200710034855.6
16.专利授权：钟向丽,廖敏,王金斌,周益春,一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法,中国发明专利,专利号:ZL200710034857.5
17.专利授权：王金斌,王芳,钟向丽,李波,廖敏,谭丛兵,一种钛酸铋纳米长方体及其制备方法,中国发明专利,专利号:ZL201310220865.4
18.专利授权：王金斌，王芳,钟向丽,李波,廖敏,谭丛兵,一种多级结构钛酸铋微球的制备方法,中国发明专利,专利号:ZL201310220367.X

研究领域

1、铁电存储器
2、氧化物半导体器件

近期论文

[1]H.Liu,S.Z.Zheng*,Q.Chen,B.J.Zeng,J.Jiang,Q.X.Peng,M.Liao*,Y.C.Zhou,“StructuralandferroelectricpropertiesofPrdopedHfO2thinfilmsfabricatedbychemicalsolutiondeposition”JMaterSci-MaterEl.2019,30,5771–5779.
[2]W.W.Xiao,Y.Peng,S.Z.Zheng,Q.Feng*,H.Zhou,C.F.Zhang,J.C.Zhang,Y.Hao,SeniorMember,IEEE,M.Liao*,andY.C.Zhou“IntegrationandElectricalPropertiesofFerroelectricHf0.5Zr0.5O2ThinFilmonBulkβ-Ga2O3(-201)SubstrateforMemoryApplications”IEEEElectronDeviceLett.,2018,39,10,1504-1507.
[3]B.J.Zeng,W.W.Xiao,J.J.Liao,H.Liu,M.Liao*,Q.X.Peng,S.Z.Zheng,andY.C.Zhou*“CompatibilityofHfNMetalgateelectrodeswithHf0.5Zr0.5O2ferroelectricthinfilmsforferroelectricfield-effecttransistors”IEEEElectronDeviceLett.,2018,39,10,1508-1511.
[4]H.X.Sun,K.M.Deng,Y.Y.Zhu,M.Liao*,J.Xiong*,Y.R.Li,andL.Li*,“ANovelconductivemesoporouslayerwithadynamictwo-stepdepositionstrategyboostsefficiencyofperovskitesolarcellsto20%”,Adv.Mater.,2018,30,1801935.
[5]C.H.Gong,K.Hu,X.P.Wang,P.H.Wangyang,C.Y.Yan,J.W.Chu,M.Liao*,L.P.Dai,T.Y.Zhai,C.Wang,L.Li*,andJ.Xiong*,“2DNanomaterialarraysforelectronicsandoptoelectronics”,Adv.Funct.Mater.,2018,28,1706559.
[6]M.Liao,S.Takemoto,Z.Xiao,Y.Toda,T.Tada,S.Ueda,T.Kamiya,andH.Hosono,“DifficultyofcarriergenerationinorthorhombicPbO”,J.Appl.Phys.,119,165701(2016).
[7]M.Liao,Z.Xiao,F.-Y.Ran,H.Kumomi,T.Kamiya,andH.Hosono,“EffectsofPbdopingonholetransportpropertiesandthin-filmtransistorcharacteristicsofSnOthinfilms”,ECSJ.SolidStateSci.Technol.,2015,4:Q26-Q30.
[8]M.Liao,H.Ishiwara,andS.Ohmi,“Excellentcurrentdrivabilityandenvironmentalstabilityinroom-temperature-fabricatedpentacene-basedorganicfield-effecttransistorswithHfO2gateinsulators”,IEEETrans.ElectronDevice,2014,61:569-575(2014).
[9]M.Liao,H.Ishiwara,andS.Ohmi,“Room-temperaturefabricationofHfONgateinsulatorforlow-voltage-operatingpentacene-basedorganicfield-effecttransistors”,Jpn.J.Appl.Phys.,2012,51:04DK01-1-04DK01-4.
[10]M.Liao,H.Ishiwara,andS.Ohmi,“GrowthmechanismofpentaceneonHfONgateinsulatoranditseffectonelectricalpropertiesoforganicfield-effecttransistors”,IEICETrans.Electron.,2012,E95-C:885-890.
[11]M.Liao,H.Ishiwara,andS.Ohmi,“Fullyroom-temperature-fabricatedlow-voltageoperatingpentacene-basedorganicfield-effecttransistorswithHfONgateinsulator”,IEEEElectronDeviceLett.,2011,32:1600-1602.
[12]M.Liao,H.Ishiwara,andS.Ohmi,“Performanceimprovementofpentacenebasedorganicfield-effecttransistorwithHfONgateinsulator”,IEICEElectron.Express,2011,8:1461-1466.
[13]M.Liao,X.L.Zhong,J.B.Wang,S.H.Xie,andY.C.Zhou,“StructureandelectricalpropertiesofBi3.15Nd0.85Ti3O12nanofiberssynthesizedbyelectrospinningandsol-gelmethod”,Appl.Phys.Lett.,96,pp.012904-1-012904-3(2010).
[14]M.Liao,X.L.Zhong,Y.Qiao,J.B.Wang,Y.C.Zhou,andH.Liao,“EffectsoffilmthicknessonmicrostructuresandpropertiesofBi3.15Nd0.85Ti3O12thinfilmsfabricatedbychemicalsolutiondeposition”,J.Alloys.Compd.,487,pp.331-334(2009).
[15]M.Liao,X.L.Zhong,J.B.Wang,Y.C.Zhou,andH.Liao,“EffectsofCoFe2O4contentonthepropertiesofnanoparticulateBi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4thinfilms”,Scriptamater.,58,pp.715-718(2008).
[16]M.Liao,X.L.Zhong,J.B.Wang,H.L.Yan,J.P.He,Y.Qiao,andY.C.Zhou,“Nd-substitutedbismuthtitanateferroelectricnanofibersbyelectrospinning”,J.Cryst.Growth.,304,pp.69-72(2007).
[17]X.L.Zhong,M.Liao,J.B.Wang,S.H.Xie,andY.C.Zhou,“Structural,ferroelectric,ferromagnetic,andmagnetoelectricpropertiesofthelead-freeBi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4doublelayeredthinfilm”,J.Cryst.Growth.,310,pp.2995-2998(2008).
[18]X.L.Zhong,J.B.Wang,M.Liao,C.B.Tan,H.B.Shu,andY.C.Zhou,“EffectofMndopingonthemicrostructuresanddielectricpropertiesofBi3.15Nd0.85Ti3O12thinfilms”,ThinSolidFilms,516,pp.8240-8243(2008).
[19]X.L.Zhong,J.B.Wang,M.Liao,G.J.Huang,S.H.Xie,Y.C.Zhou,Y.Qiao,andJ.P.He,“MultiferroicnanoparticulateBi3.15Nd0.85Ti3O12-CoFe2O4compositethinfilmspreparedbyachemicalsolutiondepositiontechnique”,Appl.Phys.Lett.,90,pp.152903-1-152903-3(2007).
[20]X.L.Zhong,J.B.Wang,M.Liao,L.Z.Sun,H.B.Shu,C.B.Tan,andY.C.Zhou,“FerroelectricanddielectricpropertiesofNd3+/Zr4+cosubstitutedBi4Ti3O12thinfilms”,Appl.Phys.Lett.,90,pp.102906-1-102906-3(2007).
[21]Z.S.Hu,X.L.Zhong,J.B.Wang,M.Liao,X.J.Zheng,Y.C.Zhou,“ComparisonofferroelectricpropertiesofcosubstitutedbismuthtitanatefilmsbetweenBi3.15Nd0.85Ti2.97Mg0.03O12andBi3.15Nd0.85Ti2.95Mn0.05O12”,Surf.Rev.Lett.,16,pp.153-156(2009).
[22]X.L.Zhong,B.Li,J.B.Wang,M.Liao,H.Liao,Y.C.Zhou,“FerroelectricpropertiesofMn-DopedBi3.15Nd0.85Ti3O12thinfilmspreparedunderdifferentannealingconditions”,Mater.Lett.,62,pp.2891-2893(2008).