胡夏融
近期热点
资料介绍
个人简历
个人简介胡夏融,男,1984年8月生,目前主要从事高压功率器件,信号与信息处理方面的研究。承担《电子测量原理及应用》、《集成电路原理》、《数字集成电路设计》、《电磁场与电磁波》等本科生教学课程8门,共发表SCI论文5篇,EI论文3篇,承担纵横向课题4项。工作经历2013年在电子科技大学获得微电子学与固体电子学博士学位,同年到西华大学工作至今教育经历2003-2007在电子科技大学微电子与固体电子院获电子科学与技术(微电子技术)专业学士学位2007-2009分别在电子科技大学及中国电子科技集团第24研究所从事模拟集成电路设计方面的研究2009-2013在电子科技大学微电子与固体电子学院从事高压功率器件设计并获微电子学与固体电子学博士学位教学工作目前承担本科生的课程如下:1、《电子测量原理及应用》2、《电磁场与电磁波》3、《集成电路原理》4、《模拟集成电路设计》5、《数字集成电路设计》6、《微电子工艺原理与实验》7、《微电子学器件新进展》8、《电子系统设计与实践》研究领域
研究方向研究方向主要包括以下两个方面:1、高压功率MOSFET的建模与设计2、基于FPGA的电能质量检测近期论文
目前以第一作者发表的SCI及EI论文如下:[1]XiarongHu,WeiboWang,YupinJi,andQingHua.TheinfluenceoftheN+floatinglayeronthedriftdopingofRESURFLDMOSanditsanalyticalmodel[J].IEICEElectronicsExpress,2016,13(20):1-6[2]HuXiarong,LvRui.AnanalyticalmodelfortheverticalelectricfielddistributionandoptimizationofhighvoltageREBULFLDMOS[J].Chin.Phys.B,2014,23(12):128501[3]XiarongHu,BoZhang,XiaorongLuo,andZhaojiLi.AnalyticalmodelsfortheelectricfielddistributionsandbreakdownvoltageoftripleRESURFSOILDMOS[J].Solid-StateElectron,2012,69:89-93[4]XiarongHu,BoZhang,XiaorongLuo,YonghengJiang,andZhaojiLi.SOILDMOSwithavariable-kdielectrictrench[J].ElectronLetter,2012,48(19):1235-1237[5]HuXiarong,ZhangBo,LuoXiaorong,WangYuangang,LeiTianfei,andLiZhaoji.AnewanalyticalmodelforthesurfaceelectricfielddistributionandbreakdownvoltageoftheSOItrenchLDMOS[J].Chin.Phys.B,2012,21(7):078502[6]HuXiarong,ZhangBo,LuoXiaorong,andLiZhaoji.UniversaltrenchdesignmethodforhighvoltageSOItrenchLDMOS[J].JournalofSemiconductors,2012,33(7):074006[7]HuXiarong,ZhangBo,LuoXiaorong,YaoGuoliang,ChenXi,andLiZhaoji.AnewhighvoltageSOILDMOSwithtripleRESURFstructure[J].JournalofSemiconductors,2011,32(7):074006[8]XiarongHu,BoZhang,YonghengJiang,KunZhou,ZhaojiLi.AnalyticalModelforanExtendedFieldPlateEffectonTrenchLDMOSwithHigh-kpermittivity[C].EDSSC'13,pp1-2,HongKong,2013. 相关热点
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