个人简历

个人简介
副教授，硕士生导师，2004年毕业于西安电子科技大学电子科学与技术专业，2009年3月获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位，2009年4月留教于西安电子科技大学机电工程学院，2011年晋升副教授，同年遴选为硕士生导师。
主要进行VLSI器件新材料器件及其可靠性研究与电子封装及其可靠性研究。
在国内外知名期刊上发表论文四十余篇，均被SCI、EI检索；申请及获批发明专利多项；获陕西省科学技术奖一等奖一项。
主持并参与了多项课题研究，包括国家973计划、国家自然科学基金、航天合作等项目。
科学研究
承担的科研项目：
国家自然科学基金基金项目，国家973项目，航天合作课题，中央高校基本业务费项目；
发表的论文：
截止2015年12月，共计发表论文45篇，均被SCI、EI检索；
申请的专利：
截止2015年12月，共计申请专利11项，其中获批6项；
荣誉获奖：
2011年获陕西省科学技术奖一等奖一项。
申请专利：
[1]毛维；郝跃；杨翠；李洋洋；王冲；郑雪峰；杜鸣；刘红侠；曹艳荣绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法2015/3/11,陕西,CN201410658088.6.
[2]毛维；葛安奎；郝跃；边照科；石朋毫；张进成；马晓华；张金风；杨林安；曹艳荣介质调制复合交叠栅功率器件
2015/3/4,陕西,CN201410658234.5.
[3]郑雪峰；范爽；孙伟伟；张建坤；康迪；王冲；杜鸣；曹艳荣；马晓华；郝跃HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法2014/9/24,陕西,CN201410319025.8.
[4]郑雪峰；范爽；康迪；王冲；张建坤；杜鸣；毛维；曹艳荣；马晓华；郝跃测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法2014/9/24,陕西,CN201410317290.2.
[5]曹艳荣；杨毅；郝跃；马晓华；田文超；许晟瑞；郑雪峰一种测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法2014/8/13,陕西,CN201410228195.5.
[6]田文超；阮红芳；杨银堂；曹艳荣折梁屈曲射频微开关2011/11/16,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201110075734.2.
[7]郝跃；许晟瑞；薛军帅；周小伟；张进成；曹艳荣；蔡冒世；王昊基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法2010/12/1,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010209568.6.
[8]郝跃；许晟瑞；张进成；杨林安；王昊；陈珂；曹艳荣；杨传凯基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
2010/12/1,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010209567.1.
[9]马晓华；曹艳荣；郝跃；高海霞；王冲；杨凌AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/10/6,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010120734.5.
[10]王冲；郝跃；马晓华；张进城；曹艳荣；杨凌全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/7/7,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN201010013536.9.
[11]马晓华；郝跃；曹艳荣；王冲；高海霞；杨凌AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法2010/5/19,陕西,中华人民共和国国家知识产权局,CN200910218717.2.
荣誉获奖
2011年获陕西省科学技术奖一等奖
科研团队
教师：
曹艳荣
硕士研究生8人。
课程教学
承担的教学任务：
微电子技术概论，本科专业课；
电子设备可靠性工程，本科专业课；

研究领域

1.VLSI器件可靠性研究：包括超深亚微米器件物理与可靠性研究，纳米结构器件物理与可靠性研究，VLSI新结构、新机制、新型栅介质栅金属等器件及其可靠性与加固方法研究等；
2.新材料器件及其可靠性研究：包括GaN等宽禁带半导体材料电子器件结构、可靠性研究等；
3.电子封装及其可靠性研究：包括微波功率器件等封装及其可靠性研究等。
器件及封装可靠性的研究从机理上分析和研究超深亚微米器件、新材料新结构器件、宽禁带半导体器件及器件封装的可靠性，评估器件在系统工作状态下的可靠性水平和寿命，从而指导材料的选取、生长和器件的加工工艺及封装材料和条件的选取，对早期发现系统故障有着重要的应用意义。

近期论文

学术论文：
[1]曹艳荣;杨毅;曹成;何文龙;郑雪峰;马晓华;郝跃RecoveryofPMOSFETNBTIunderdifferentconditionsChinesePhysicsB,09期,pp488-492,2015/9/15.
[2]Lv,Ling;Ma,Xiaohua;Xi,He;Liu,Linyue;Cao,Yanrong;Zhang,Jincheng;Shan,Hengsheng;Hao,YueTheoreticalanalysisofprotonirradiationeffectsonAlGaN/GaNhigh-electron-mobilitytransistorsJournalofVacuumScienceandTechnologyB:NanotechnologyandMicroelectronics,33(5),pp051212-1-051212-6,2015/9/1.
[3]SunWei-Wei;*ZhengXue-Feng;FanShuang;WangChong;DuMing;ZhangKai;ChenWei-Wei;CaoYan-Rong;MaoWei;MaXiao-Hua;ZhangJin-Cheng;HaoYueDegradationmechanismofenhancement-modeAlGaN/GaNHEMTsusingfluorineionimplantationundertheon-stategateoverdrivestressChinesePhysicsB,24(1),2015/1.
[4]*CaoYan-Rong;HeWen-Long;CaoCheng;YangYi;ZhengXue-Feng;MaXiao-Hua;HaoYueEffectofgatelengthontheparameterdegradationrelationsofPMOSFETunderNBTIstressChinesePhysicsB,23(11),2014/11.
[5]*Cao,Yanrong；Yang,Yi；Cao,Cheng；He,Wenlong；Zheng,Xuefeng；Ma,Xiaohua；Hao,YuePMOSFET器件NBTI在不同周期下的恢复研究201412thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology，ICSICT2014，2014/10/28-2014/10/31，Guilin，China，2014.
[6]*LuLing;ZhangJin-Cheng;LiLiang;MaXiao-Hua;CaoYan-Rong;HaoYueEffectsof3MeVprotonirradiationsonAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorsActaPhysicaSinica,61(5),2012/3.
[7]S.R.Xu;J.C.Zhang;Y.R.Cao;X.W.Zhou;J.S.Xue;Z.Y.Lin;J.C.Ma;F.Bao;Y.HaoImprovementsin(112̅2)semipolarGaNcrystalqualitybygradedsuperlatticesThinSolidFilms,520(6),pp1909-1912,2012/1/1.
[8]LingLv;J.G.Ma;Y.R.Cao;J.C.Zhang;W.Zhang;L.Li;S.R.Xu;X.H.Ma;X.T.Ren;Y.HaoStudyofprotonirradiationeffectsonAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorsMicroelectronicsReliability,51(12),pp2168-2172,2011/12.
[9]*BiZhiWei;HaoYue;FengQian;JiangTingTing;CaoYanRong;ZhangJinCheng;MaoWei;LuLing;ZhangYueThepassivationmechanismofnitrogenionsonthegateleakagecurrentofHfO2/AlGaN/GaNMOS-HEMTsScienceChinaPhysics,Mechanics&Astonomy,54(12),pp2170-2173,2011/12.
[10]BiZhi-Wei;HuZhen-Hua;MaoWei;*HaoYue;FengQian;CaoYan-Rong;GaoZhi-Yuan;ZhangJin-Cheng;MaXiao-Hua;ChangYong-Ming;LiZhi-Ming;MeiNanInvestigationofpassivationeffectsinAlGaN/GaNme[ant]tal-insulator-semiconductorhighelectron-mobilitytransistorbygate-drainconductancedispersionstudyChinesePhysicsB,20(8),2011/8.
[11]S.R.Xu;J.C.Zhang;L.A.Yang;X.W.Zhou;Y.R.Cao;J.F.Zhang;J.S.Xue;Z.Y.Liu;J.C.Ma;F.Bao;Y.HaoDefectreductionin(112̄0)nonpolara-planeGaNgrownonr-planesapphireusingTiNinterla[ant]yersJournalofCrystalGrowth,327(1),pp94-97,2011/7/15.
[12]*MaXiao-Hua;CaoYan-Rong;HaoYue;ZhangYueHotcarrierinjectiondegradationunderdynamicstressChinesePhysicsB,20(3),2011/3.
[13]*CaoYan-Rong;MaXiao-Hua;HaoYue;ZhuMin-Bo;TianWen-Chao;ZhangYueNegativeBiasTemperatureInstability\