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王凯悦
2023-05-13 19:42
  • 王凯悦
  • 王凯悦 - 教授 博导-太原科技大学-材料科学与工程学院-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


王凯悦(1985.11-),男,汉族,河北省东光县人,中共党员,工学博士,教授,陶瓷材料学科负责人。主持国家、省部及企业委托项目16项,以第一或通讯作者发表SCI论文30余篇,出版专著1部,授权国家发明专利5项。曾获“山西省优秀硕士学位论文指导教师”、“研究生思想政治教育先进导师”、 “优秀共产党员”、“优秀班主任”、“师风师德建设先进个人”、“长青奖教金”等荣誉称号。\r
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2020年12月 至今 太原科技大学 材料科学与工程专业 教授\r
2019年4月-2020年1月 美国加州州立大学北岭分校 凝聚态物理专业 访问学者\r
2019年1月-2019年4月 美国加州大学河滨分校 凝聚态物理专业 访问学者\r
2016年11月-2020年4月 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室(电子科学与技术专业)博士后\r
2014年9月-2020年11月 太原科技大学 材料物理与化学专业 副教授\r
2013年11月-2014年5月 美国加州大学欧文分校 凝聚态物理专业 访问学者\r
2012年6月-2014年8月 太原科技大学 材料物理专业 讲师\r
2010年12月-2011年12月 英国布里斯托大学 凝聚态物理专业 联合培养博士生\r
2008年9月-2012年6月 天津大学 先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室(材料学专业)博士(提前1年毕业)\r
2004年9月-2008年6月 河北科技大学 无机非金属材料工程专业 本科

研究领域


""宽禁带半导体掺杂与表征;先进陶瓷材料设计与优化""""

近期论文


Photoluminescence spectra of intrinsic interstitials in IIa diamond after near threshold energy irradiation Vacuum, 2021, 187: 110107\r
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Photoluminescence study on the optical properties of silicon-vacancy centre in diamond Journal of Alloys and Compounds, 2021, 860: 157914\r
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Optical characterization of native defects in 4H SiC irradiated by 10 MeV electrons with subsequent annealing Journal of Applied Spectroscopy, 2021, 87(6):809-904\r
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Adjustable charge states of nitrogen-vacancy centers in low-nitrogen diamond after electron irradiation and subsequent annealing Applied Physics Letters, 2020, 117: 172104\r
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Temperature dependence of optical centers in 200 keV electron irradiated β-Ga2O3 Journal of Luminescence, 2021(一审返修)\r
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Photoluminescence studies of nitrogen-vacancy and silicon-vacancy centers transformation in CVD diamond Journal of Physics-Condensed Matter, 2020, 32(34): 34LT01\r
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Temperature dependence of optical centres in ultrapure diamond after 200keV electron irradiation Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 53(13): 135303\r
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Photoluminescence studies of the 640nm center in electron irradiated IIa diamond Spectroscopy Letters, 2020, 53(8): 580-586\r
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Optical defects and their depth penetration in 200 keV electron irradiated IIa diamond Radiation Effects and Defects in Solids, 2020, 175: 1083-1092\r

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