个人简历

教育经历： 2001年9月-2005年6月，武汉大学物理科学与技术学院，获学士学位 2005年9月-2007年8月，中科院物理研究所，博士研究生 2007年9月-2011年1月，清华大学物理系，获博士学位 工作经历： 2011年2月-2015年6月，美国威斯康辛大学密尔沃基分校，博士后研究助理 2015年7月-至今， 上海交通大学物理与天文系，特别研究员 长期致力于利用扫描隧道显微镜及分子束外延联合超高真空系统，在固体表面上进行低维纳米结构的原子级精度的可控生长及其电子结构的表征。近几年，在拓扑绝缘体薄膜，一维石墨烯纳米带，零维纳米颗粒等低维纳米结构研究方向中取得了一系列原创性的成果。在Advanced Materials、Nature Physics、Nature Communications、Physical Review Letters这些国际权威期刊发表高影响因子文章7篇。

研究领域

长期致力于利用扫描隧道显微镜及分子束外延联合超高真空系统，在固体表面上进行低维纳米结构的原子级精度的可控生长及其电子结构的表征。

近期论文

Y. Y. Li, M. X. Chen, M. Weinert, and L. Li*, Direct Experimental Determination of Onset of Electron–Electron Interactions in Gap Opening of Zigzag Graphene Nanoribbons, Nature Communications 5, 4311 (2014). Y. Liu, Y. Y. Li, S. Rajput, D. Gilks, L. Lari, P. L. Galindo, M. Weinert, V. K. Lazarov* and L. Li*, Tuning Dirac States by Strain in the Topological Insulator Bi2Se3, Nature Physics 10, 294 (2014). (Cover Article) S. Rajput*, Y. Y. Li, and L. Li, Direct Experimental Evidence for the Reversal of Carrier Type upon Hydrogen Intercalation in Epitaxial Graphene-SiC(0001), Applied Physics Letters 104, 041908 (2014). S. Rajput, M. X. Chen, Y. Liu, Y. Y. Li, M. Weinert, and L. Li*, Spatial Fluctuations in Barrier Height at the Graphene-Silicon Carbide Schottky Junction, Nature Communications 4, 2752 (2013). Y. Liu, Y. Y. Li, D. Gilks, V. K. Lazarov, M. Weinert, and L. Li*, Charging Dirac States at Antiphase Domain Boundaries in the Three-Dimensional Topological Insulator Bi2Se3, Physical Review Letters 110, 186804 (2013). (Cover Article) G. Wang, X. G. Zhu, Y. Y. Sun, Y. Y. Li, T. Zhang, J. Wen, X. Chen, K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, J. F. Jia, S. B. Zhang*, and Q. K. Xue*, Topological Insulator Thin Films of Bi2Te3 with Controlled Electronic Structure, Advanced Materials 23, 2929 (2011). Y. Y. Li, G. Wang, X. G. Zhu, M. H. Liu, C. Ye, X. Chen, Y. Y. Wang, K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, H. J. Zhang, X. Dai, Z. Fang, X. C. Xie, Y. Liu, X. L. Qi, J. F. Jia*, S. C. Zhang, and Q. K. Xue, Intrinsic Topological Insulator Bi2Te3 Thin Films on Si and Their Thickness Limit, Advanced Materials 22, 4002 (2010). Y. Y. Li, M. Liu, D. Y. Ma, D. C. Yu, X. Chen, X. C. Ma, Q. K. Xue, K. W. Xu, J. F. Jia*, and F. Liu*, Bistability of Nanoscale Ag Islands on a Si(111)-(4×1)-In Surface Induced by Anisotropic Stress, Physical Review Letters 103, 076102 (2009).