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包乌吉斯古楞
2023-05-12 07:34
  • 包乌吉斯古楞
  • 包乌吉斯古楞 - 讲师-内蒙古民族大学-数理学院-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


包乌吉斯古楞,女,蒙古族,1983年9月出生,通辽市人,博士研究生,讲师。
2006年7月,本科毕业于内蒙古师范大学。2009年6月,硕士研究生毕业于内蒙古师范大学。2014年3月,博士毕业于日本名古屋工业大学。
主要经历
2002.09——2006.07,在内蒙古师范大学学习。
2006.09——2009.06,在内蒙古师范大学攻读硕士研究生。
2011.04——2014.03,在日本名古屋工业大学攻读博士研究生。
2014.08——2018.09,在渤海大学工作。
2018.09——2019.12,在内蒙古民族大学物理与电子信息学院工作。
2020.01——今,在内蒙古民族大学数理学院工作。
承担课程
讲授应用物理专业本科生的专业课程《普通物理学(上)》和《力学》。
论文:
包乌吉斯古楞,包国军,AMPS-1D 软件对《半导体器件物理》教学过程中的应用,中国教工,2019, 24: 48。
专著:
包乌吉斯古楞,Cu2ZnSnS4基异质结界面能带带阶的第一性原理研究,东北大学出版社,ISBN 978-7-5517-2121-9, 2019年6月。
科研项目
1.国家自然科学基金项目,项目编号11547226,第一性原理研究Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4型半导体系异质结界面能带结构,2016.01.01—2016.12.31。
2.内蒙古民族大学博士科研启动基金项目,项目编号BS484,Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4系太阳能电池异质结界面特性研究,2019.03—2022.03。
3.内蒙古自治区留学回区人员创新项目,第一性原理研究铜锌锡硫基太阳能电池界面特性,内蒙古自治区人力资源和社会保障厅,2021.01-2021.12,主持。

研究领域


薄膜太阳能电池。指导研究生意向:太阳能电池仿真研究,即采用第一性原理计算软件和太阳能电池仿真软件相结合的方法,研究薄膜太阳能电池材料性质、界面特性和电池输出特性""

近期论文


1.Wujisiguleng Bao, FangYuan Qiu, Sachuronggui Bai, Yuan Li, Study of Band Offset at ZnS/Cu2ZnIVS4(IV=Si,Ge,Sn) Heterointerfaces, Optoelectronics and Advanced Materials Rapid Communications, 2018, 12(5-6): 327-331(SCI)
2.Wujisiguleng Bao, Sachuronggui, Fangyuan Qiu, Band Offsets Engineering at CdxZn1-xS/Cu2ZnSnS4 Heterointerface, Chinese Physics B, 2016, 25 (12): 127102 (SCI)
3.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Influence of Secondary Phases in Kesterite-Cu2ZnSnS4 Absorber Material Based on the First-principles Calculation, International Journal of Photoenergy, 2015 (2015): 592079.(SCI)
4.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Band Offsets at the ZnO/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First Principles Calculation, Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 52(6R): 061203.(SCI)
5.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, First-Principles Study on Influences of Crystal Structure and Orientation on Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface, International Journal of Photoenergy, 2012 (2012): 619812.(SCI)
6.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Prediction of the Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First-Principles Calculation, Japanese Journal of Applied Physics, 2012, 51(10): 10NC31.(SCI)
7.Wujisiguleng Bao, Sa C, Qiu F Y. First Principles Calculation Study of Zn1-xMgxO/Cu2ZnSnS4 Heterointerface, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 2020, 740(1): 012066.(EI)
8.包乌吉斯古楞,乌仁图雅,赵凤岐,纤锌矿 GaN/AlN 量子阱中束缚极化子能量,内蒙古师范大学学报,2009, 38(3):273-277.(核心)
9.包乌吉斯古楞,萨初荣贵,Zn1-xMgxO/Cu2ZnSnS4异质结薄膜太阳能电池的仿真研究,固体电子学研究与进展,2020年,已接受。(核心)

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