个人简历

蔡晓梅，女，1982年5月生，籍贯福建，工学博士。
2013年6月毕业于厦门大学工学博士学位，2013年
8月到集美大学工作。主要从事光电子材料与器件、微纳米制造技术的研究，入选福建省高校杰出青年培育计划。已发表研究论文10多篇，其中以第一作者身份发表SCI论文6篇，包括《AppliedPhysicsLetters》、《IEEETransactionsonElectronDevices》、《IEEEPhotonicsTechnologyLetters》、《AppliedPhysicsA》等权威刊物，授权发明专利1项。主持国家自然科学基金青年项目1项（NO.61404059），集美大学科研启动金1项（NO.ZQ2013011）。作为骨干成员参与国家自然科学基金面上项目（No.61274052，10974165），国家自然科学基金青年项目（No.61106044,61307042），厦门市科技局（No.3502Z20143024）等多个项目研究。
教育及工作背景：
2002.9-2006.6厦门大学物理系，获学士学位
2012.9-2012.12日本埼玉大学访学
2008.9-2013.6厦门大学物理系硕博连读，获博士学位
2013.8-至今集美大学理学院物理系工作

主讲课程:
本科生：《大学物理》，《太阳能光伏技术》、《大学物理实验》
近五年主持的科研项目：
1.宽光谱InGaN太阳能电池极化效应的影响和调控研究（国家自然科学基金负责人）
2.InGaN光伏器件的材料和制备研究（集美大学科研启动金）
3.InGaN基光伏器件的材料生长、制备和表征（厦门大学基础创新科研基金研究生个人项目，中央高校基本科研业务费专项资金）
专利：
张保平，蔡晓梅，张江勇，余健，王宇，垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，授权号：ZL201310084674.X

研究领域

光电子材料与器件
微纳米制造技术

近期论文

1.蔡晓梅，张江勇，吕雪芹，应磊莹，张保平，GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究,厦门大学学报(自然科学版),54(5),665-673,2015,DOI:10.6043/j.issn.0438-0479.2015.05.009
2.T.P.Lei,PZhu,X.M.Cai,etal.,ElectrospinningofPVDFnanofibrousmembraneswithcontrollablecrystallinephases，AppliedPhysicsA,120(1),5-10,2015.
3.王敏帅，黄晓菁，蔡晓梅，杨兰，郑凯，王兴焱,大功率LED路灯二次光学设计的模拟仿真,集美大学学报(自然科学版)，20(3),230-235,2015,DOI:1007-7405(2015)03-0230-06.
4.M.M.Liang,G.E.Weng,J.Y.Zhang,X.M.Cai,etal.,InfluenceofbarrierthicknessonthestructuralandopticalpropertiesofInGaN/GaNmultiplequantumwell,ChinesePhysicsB,23(5),054211,2014.
5.X.M.Cai,Y.Wang,Z.D.Li,X.Q.Lv,J.Y.Zhang,L.Y.YingandB.P.Zhang,ImprovedphotovoltaicperformanceofInGaN/GaNsolarcellswithoptimizedtransparentcurrentspreadinglayers,AppliedPhysicsA,111(2),483-486,2013.
6.X.M.Cai,Y.Wang,B.H.Chen,M.M.Liang,W.J.Liu,J.Y.Zhang,X.Q.Lv,L.Y.YingandB.P.Zhang,InvestigationofInGaNp-i-nHomojunctionandHeterojunctionSolarCells,IEEEPhotonicsTechnologyLetters,25(1),59-62,2013.
7.T.P.Lei,X.M.Cai,X.Wang,L.K.Yu,etal.,Spectroscopicevidenceforahighfractionofferroelectricphaseinducedinelectrospunpolyvinylidenefluoridefibers,RSCAdvances,3,24952-24958,2013.
8.S.Lin,S.W.Zeng,X.M.Cai,J.Y.Zhang,S.X.Wu,L.SunandB.P.Zhang,SimulationofdopinglevelsanddeeplevelsinInGaN-basedsingle-junctionsolarcell,JournalofMaterialScience,47,no.11,4595-4603,2012.
9.X.M.Cai,S.W.Zeng,X.Li,J.Y.Zhang,S.Lin,A.K.Ling,M.Chen,W.J.Liu,S.X.WuandB.P.Zhang,DependenceofthePropertyofInGaNp-i-nSolarCellsontheLightConcentrationandTemperature,IEEETransactionsonElectronDevices,58,3905-3911,2011.
10.S.W.Zeng,X.M.CaiandB.P.Zhang,DemonstrationandStudyofPhotovoltaicPerformancesofInGaNp-i-nHomojunctionSolarCells,IEEEJournalofQuantumElectronics,46,no.5,783-787,2011.
11.S.Lin,S.W.Zeng,X.M.Cai,J.Y.Zhang,S.X.Wu,A.K.Ling,G.E.WengandB.P.Zhang,PreparationandpropertiesofNi/InGaN/GaNSchottkybarrierphotovoltaiccells,Solid-StateElectronics,63,105-109,2011.
12.X.M.Cai,S.W.ZengandB.P.Zhang*,FavourablephotovoltaiceffectsinInGaNpinhomojunctionsolarcell,ElectronicsLetters,45(24),1266-U104,2009.
13.X.M.Cai,S.W.ZengandB.P.Zhang,FabricationandcharacterizationofInGaNp-i-nhomojunctionsolarcell,AppliedPhysicsLetters,95,no.17，173504,2009.