个人简历
教育和研究经历 2001-2008 复旦大学光信息科学与工程 本硕 / Fudan University, Bachelor&Master (Optics) 2008-2013 美国约翰霍普金斯大学材料系 博士/ The Johns Hopkins University (USA), PhD (Materials Science) 2013-2016 德国亚琛工业大学物理所 洪堡博士后/ RWTH Aachen University (Germany), Humboldt Postdoc Scholar 2016-2017 华中科技大学 研究员 / HUST, Professor 2017-Present 华中科技大学 教授 / HUST, Professor
研究领域
1. 相变存储材料（主要方向）：对相变存储材料进行全方面的研究，包括薄膜的沉积、物理性质的测量、结构和化学键的模拟、以及极端条件下（高压）的结构和性质变化等。 2. 固体电池电解质：理解离子在电解质中的跃迁通道。 3. 金属和硫系玻璃：理解非晶态的原子排列，从无序中寻找有序。
近期论文
[1] M. Xu, Z. Yu, L. Wang, R. Mazzarello, M. Wuttig.Reversing the resistivity contrast in a phase-change memory material GeSb2Te4using high pressure, Advanced Electronic Materials, 1 (2015) 1500240. [2] M. Xu, W. Zhang, R. Mazzarello, M. Wuttig.Disorder control in a phase-change material GeSb2Te4using high pressure, Advanced Science, 2 (2015) 1500117(cover story). [3] M. Xu, J. Ding, E. Ma,One-dimensional stringlike cooperative migration of lithium ions in an ultrafast ionic conductor,Applied Physics Letters, 101 (2012) 031901-031903. [4] M. Xu, Y.Q. Cheng, L. Wang, H.W. Sheng, W.G. Yang, Y. Meng, X.D. Han, E. Ma,Pressure tunes electrical resistivity by four orders of magnitude in amorphous Ge2Sb2Te5phase-change memory alloy, PNAS, 109 (2012) E1055. [5] M. Xu, M.S. Park, J.M. Lee, T.Y. Kim, Y.S. Park, E. Ma,Mechanisms of Li+transport in garnet-type cubic Li3+xLa3M2O12(M = Te, Nb, Zr), Physical Review B, 85 (2012) 052301. [6] X.Q. Liu, X.B. Li, L. Zhang, Y.Q. Cheng, Z.G. Yan,M. Xu, X.D. Han, S.B. Zhang, Z. Zhang, E. Ma,New Structural Picture of the Ge2Sb2Te5Phase-Change Alloy, Physical Review Letters, 106 (2011) 025501. [7] M. Xu,Y. Meng, Y.Q. Cheng, H.W. Sheng, X.D. Han, E. Ma,Pressure-induced crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5, Journal of Applied Physics, 108 (2010) 083519. [8] M. Xu, Y.Q. Cheng, H.W. Sheng, E. Ma,Nature of Atomic Bonding and Atomic Structure in the Phase-Change Ge2Sb2Te5Glass, Physical Review Letters, 103 (2009) 195502. [9] M. Xu, S.Y. Wang, G. Yin, J. Li, Y.X. Zheng, L.Y. Chen, Y. Jia,Optical properties of cubic Ti3N4, Zr3N4, and Hf3N4, Applied Physics Letters, 89 (2006) 151908. [10] M. Xu, S.Y. Wang, G. Yin, L.Y. Chen, Y. Jia,Theoretical investigation of the electronic and optical properties of pseudocubic Si3P4, Ge3P4and Sn3P4, Optics Express, 14 (2006) 710-716.
