个人简历

副教授，硕士导师，95年长春光学精密机械学院本科毕业，04年华南师范大学微电子专业硕士研究生毕业，2007年博士毕业，目前在华师大物电学院任职。在PSST，PST，Vacuum，JCG，JAP,IJMPB等发表论文科技论文30多篇，其中SCI收录10多篇，其中TOP论文（PlasmaSourcesScienceandTechnology）一篇，3区和4区论文多篇。主要成果概括为：
1.Langmuir单、双探针测量ECR等离子体的方法；
2.首次说明受磁场位形影响的ECR等离子体分布特点；
3.首次ECR-PECVD法成功低温制备GaN薄膜；
4.分析点缺陷对GaN稀磁薄膜特性的影响，及探索获得稳定p型ZnO稀磁薄膜的方法，
5.半导体器件的结构特性表征。
目前主持省自然基金一项，参与国家自然基金1项，目前的研究方向为GaN/ZnO稀磁半导体薄膜第一性原理研究。
招生信息
招收微电子学与固体电子学专业研究生；欢迎有志于进行半导体材料特性模拟的本科生就读。
要求：身心健康，性格开朗，有一点点晶体学知识。
承担课程
本科生：
《固体物理》，《近代物理实验》（低温与固体表征部分）
研究生:
微电子专业《等离子体化学工艺》及《半导体光电子学与光电子器件》

研究领域

半导体低维结构与器件；
低温等离子体技术及应用；
稀磁半导体材料模拟与分析。

近期论文

论文,2020年,CAWang，JXLi,SLFu*.TheEffectofNativeVacancyDefectsonElectronicandMagneticPropertiesofZnO:MnSystem.InternationaljournalofmodernphysicsB,2020
论文,2020年,郑晓思，符斯列*.C-V法研究GaN基蓝光发光二极管的多量子阱结构,物理实验，2020.
论文,2019年,丁罗城,符斯列（通讯作者）等.C-Cu共掺杂ZnO的p型导电性研究,原子与分子物理学报，2019，36（2）：325-330
论文,2019年,李俊贤，符斯列*等。本征空位缺陷对ZnO:Mn体系电子特性及磁性的影响原子与分子物理学报（2019accepted)
论文,2019年,王春安,符斯列.紧束缚近似下的立方晶格等能面.大学物理，2019（accepted)
论文,2019年,Chun-AnWanga,Si-LieFu*.TheoreticalstudyoftheeffectsofMn:Nratiosonelectronicstructureandmagneticpropertiesof(Mn,N)-codopedZnO,InternationaljournalofmodernphysicsB，2019，33（12）1950116
论文,2018年,ChunAnWang,SilieFu*,etal.Temperature-dependentPower-lawAnalysisforCapacitance-VoltageofGaN-basedpnjunction.JournalofAppliedPhysics123,134502(2018)
论文,2018年,WANGChun-an,FUSi-lie*,etal.StudyoftheEffectofTemperatureonthepnStructureofGaN-basedLEDbyC-VMeasurement,Chin.J.Lumin.2018,39(10):1417-1424(EI收录）
论文,2018年,SLFu,CAWanget.al.HydrogendissociationinthedepositionofGaNfilmswithECR-PECVDprocess.Ind.J.Phys.92(5):655-660（2018）
论文,2017年,符斯列，王春安，蒋联娇，秦盈星，吴先球.C-V法测量GaN基蓝光LED的pn结特性.物理实验，2017
论文,2017年,符斯列,王春安,丁罗城,秦盈星.电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响.真空科学与技术学报，2017
论文,2017年,秦盈星，符斯列（通讯作者），丁罗城.Mn掺杂浓度对Mn-N共掺ZnO电子结构及磁性的影响，功能材料，2017
论文,2017年,苏秀崖,湛高超,符斯列(通信作者)获得巨磁阻效应对称曲线的实验方法物理实验2017
论文,2016年,蒋联娇，符斯列（通讯作者），秦盈星，李健翔.空位型点缺陷对Mn掺杂GaN体系电子结构及光学性质影响的研究.功能材料,2016，47:1001-9731(2016)-001-04
论文,2015年,李健翔，符斯列（通讯作者），蒋联娇，马娟娟，唐吉玉.高压强下ＧａＮ的结构相变及电子结构的第一性原理研究,材料导报，2015，29（11）：141－149
论文,2013年,FuSilie,WangChun-ann,ChenJunfang.OpticalEmissionAnalysesofN2/TMGECRPlasmaforDepositionofGaNFilm,SpectroscopyandSpectralAnalysis.2013,33(4)：1108－1111
论文,2012年,FuSilie,ChenJunfang，WangChun-ann,Gaopeng,etal.StressAnalysesofGaNFilmManufacturedbyECRPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition.Vacuum,2012,86:1517
论文,2010年,符斯列,王春安,陈俊芳.变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜材料禁带宽度研究.实验科学与技术.2010,8(2):15-17
论文,2010年,符斯列，陈俊芳.Langmuir探针测量低温等离子体参数特性实验,实验室研究与探索.2010，29（3）：4-7
论文,2009年,FuSilie,ChenJunfang，ZhangHongbin,GuoChaofen,LiWei,ZhaoWenfen.CharacterizationsofGaNfilmgrowthbyECRplasmachemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth,2009,311(12):3325–3331
论文,2008年,FuSilie,ChenJunfang,LiYun,LiWei,ZhangMaoping，HuShejun.OpticalEmissionSpectroscopyofElectronCyclotronResonance-PlasmaEnchancedMetalorganicChemicalVaporDepositionProcessforDepositionofGaNFilm.PlasmaScience&Technology.2008,10(1):70-73
论文,2006年,FuSilie,ChenJunfang,WuXianQiu,WangNingxing,ZhangMaoping,HuShejun.SpatialDistributionofECRPlasmaDensityintheECR-PECVDReactionChamberPlasmaScience&Technology.2006,8(3):300-302.
论文,2006年,FuSilie,ChenJunfang,HuSheJun,WuXian-Qiu,LeeYun,FanShuan-Li.StudyonthecharacteristicsofECRplasmaspatialdistribution.PlasmaSourcesScienceandTechnology,2006,15:187–192