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符斯列
2023-05-11 02:16
  • 符斯列
  • 符斯列 - 副教授-华南师范大学-物理与电信工程学院-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


副教授,硕士导师,95年长春光学精密机械学院本科毕业,04年华南师范大学微电子专业硕士研究生毕业,2007年博士毕业,目前在华师大物电学院任职。在PSST,PST,Vacuum,JCG,JAP,IJMPB等发表论文科技论文30多篇,其中SCI收录10多篇,其中TOP论文(PlasmaSourcesScienceandTechnology)一篇,3区和4区论文多篇。主要成果概括为:
1.Langmuir单、双探针测量ECR等离子体的方法;
2.首次说明受磁场位形影响的ECR等离子体分布特点;
3.首次ECR-PECVD法成功低温制备GaN薄膜;
4.分析点缺陷对GaN稀磁薄膜特性的影响,及探索获得稳定p型ZnO稀磁薄膜的方法,
5.半导体器件的结构特性表征。
目前主持省自然基金一项,参与国家自然基金1项,目前的研究方向为GaN/ZnO稀磁半导体薄膜第一性原理研究。
招生信息
招收微电子学与固体电子学专业研究生;欢迎有志于进行半导体材料特性模拟的本科生就读。
要求:身心健康,性格开朗,有一点点晶体学知识。
承担课程
本科生:
《固体物理》,《近代物理实验》(低温与固体表征部分)
研究生:
微电子专业《等离子体化学工艺》及《半导体光电子学与光电子器件》

研究领域


半导体低维结构与器件;
低温等离子体技术及应用;
稀磁半导体材料模拟与分析。

近期论文


论文,2020年,CAWang,JXLi,SLFu*.TheEffectofNativeVacancyDefectsonElectronicandMagneticPropertiesofZnO:MnSystem.InternationaljournalofmodernphysicsB,2020
论文,2020年,郑晓思,符斯列*.C-V法研究GaN基蓝光发光二极管的多量子阱结构,物理实验,2020.
论文,2019年,丁罗城,符斯列(通讯作者)等.C-Cu共掺杂ZnO的p型导电性研究,原子与分子物理学报,2019,36(2):325-330
论文,2019年,李俊贤,符斯列*等。本征空位缺陷对ZnO:Mn体系电子特性及磁性的影响原子与分子物理学报(2019accepted)
论文,2019年,王春安,符斯列.紧束缚近似下的立方晶格等能面.大学物理,2019(accepted)
论文,2019年,Chun-AnWanga,Si-LieFu*.TheoreticalstudyoftheeffectsofMn:Nratiosonelectronicstructureandmagneticpropertiesof(Mn,N)-codopedZnO,InternationaljournalofmodernphysicsB,2019,33(12)1950116
论文,2018年,ChunAnWang,SilieFu*,etal.Temperature-dependentPower-lawAnalysisforCapacitance-VoltageofGaN-basedpnjunction.JournalofAppliedPhysics123,134502(2018)
论文,2018年,WANGChun-an,FUSi-lie*,etal.StudyoftheEffectofTemperatureonthepnStructureofGaN-basedLEDbyC-VMeasurement,Chin.J.Lumin.2018,39(10):1417-1424(EI收录)
论文,2018年,SLFu,CAWanget.al.HydrogendissociationinthedepositionofGaNfilmswithECR-PECVDprocess.Ind.J.Phys.92(5):655-660(2018)
论文,2017年,符斯列,王春安,蒋联娇,秦盈星,吴先球.C-V法测量GaN基蓝光LED的pn结特性.物理实验,2017
论文,2017年,符斯列,王春安,丁罗城,秦盈星.电子回旋共振等离子体中TMG的离解氢对气相沉积氮化镓薄膜的影响.真空科学与技术学报,2017
论文,2017年,秦盈星,符斯列(通讯作者),丁罗城.Mn掺杂浓度对Mn-N共掺ZnO电子结构及磁性的影响,功能材料,2017
论文,2017年,苏秀崖,湛高超,符斯列(通信作者)获得巨磁阻效应对称曲线的实验方法物理实验2017
论文,2016年,蒋联娇,符斯列(通讯作者),秦盈星,李健翔.空位型点缺陷对Mn掺杂GaN体系电子结构及光学性质影响的研究.功能材料,2016,47:1001-9731(2016)-001-04
论文,2015年,李健翔,符斯列(通讯作者),蒋联娇,马娟娟,唐吉玉.高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究,材料导报,2015,29(11):141-149
论文,2013年,FuSilie,WangChun-ann,ChenJunfang.OpticalEmissionAnalysesofN2/TMGECRPlasmaforDepositionofGaNFilm,SpectroscopyandSpectralAnalysis.2013,33(4):1108-1111
论文,2012年,FuSilie,ChenJunfang,WangChun-ann,Gaopeng,etal.StressAnalysesofGaNFilmManufacturedbyECRPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition.Vacuum,2012,86:1517
论文,2010年,符斯列,王春安,陈俊芳.变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜材料禁带宽度研究.实验科学与技术.2010,8(2):15-17
论文,2010年,符斯列,陈俊芳.Langmuir探针测量低温等离子体参数特性实验,实验室研究与探索.2010,29(3):4-7
论文,2009年,FuSilie,ChenJunfang,ZhangHongbin,GuoChaofen,LiWei,ZhaoWenfen.CharacterizationsofGaNfilmgrowthbyECRplasmachemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth,2009,311(12):3325–3331
论文,2008年,FuSilie,ChenJunfang,LiYun,LiWei,ZhangMaoping,HuShejun.OpticalEmissionSpectroscopyofElectronCyclotronResonance-PlasmaEnchancedMetalorganicChemicalVaporDepositionProcessforDepositionofGaNFilm.PlasmaScience&Technology.2008,10(1):70-73
论文,2006年,FuSilie,ChenJunfang,WuXianQiu,WangNingxing,ZhangMaoping,HuShejun.SpatialDistributionofECRPlasmaDensityintheECR-PECVDReactionChamberPlasmaScience&Technology.2006,8(3):300-302.
论文,2006年,FuSilie,ChenJunfang,HuSheJun,WuXian-Qiu,LeeYun,FanShuan-Li.StudyonthecharacteristicsofECRplasmaspatialdistribution.PlasmaSourcesScienceandTechnology,2006,15:187–192

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