邢琨
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资料介绍
个人简历
邢琨,男,1988年生,博士,副教授,硕士生导师通信地址:安徽省合肥市屯溪路193号,合肥工业大学电子科学与应用物理学院邮箱:k.xing@hfut.edu.cn学习工作经历:2007年9月-2010年7月:英国谢菲尔德大学,电子电气工程学院,本科2010年7月-2014年7月:英国谢菲尔德大学,英国国家III-V族半导体研发中心,博士2014年8月-2016年10月:英国谢菲尔德大学,英国国家III-V族半导体研发中心,博士后2016年11月-至今:合肥工业大学,电子科学与应用物理学院,副教授本科主讲课程:《SemiconductorOptoelectronics》(英文教学课程)科学研究:长期从事宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺的研究工作。承担多项由英国工程和自然研究委员会(EPSRC)拨款的国家级重点科研项目;目前主持2项III族氮化物半导体相关横向课题项目,推进科研成果的有效转化。迄今,已在《AppliedPhysicsLetters》、《AppliedPhysicsExpress》等SCI二区学术期刊以第一和通讯作者发表多篇学术论文,并获得已授权中国专利1项.1、低位错密度III族氮化物材料的MOCVD外延开发2、氮化镓基紫外光(UVA-UVC)、蓝光和绿光LED的外延及制程工艺3、半极性面氮化镓基高效黄光LED的制备研究领域
宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺近期论文
1、K.Xing,C.Tseng,L.Wang,P.Chi,J.Wang,P.Chen,andH.Liang,“Semi-polar(11-22)GaNepitaxialfilmswithsignificantlyreduceddefectdensitiesgrownonm-planesapphireusingasequenceoftwoinsituSiNxinterlayers”,Appl.Phys.Lett.114,131105(2019).2、K.Xing,S.Chen,X.Tao,C.Lee,J.Wang,Q.Xu,andH.Liang,“Impactof3DgrowthandSiNxinterlayeronthequalityof(11-22)semi-polarGaNgrownonm-planesapphire”,Appl.Phys.Express12,115501(2019).3、K.Xing,J.Wang,L.Wang,X.Tao,S.Chen,andH.Liang,“EpitaxialGaNfilmswithultralowthreadingdislocationdensitiesgrownonanSiO2-maskedpatternedsapphiresubstrate”,Appl.Phys.Express12,105501(2019).4、J.Bai,F.Guzman,K.Xing,Y.Gong,Y.Hou,andT.Wang,“(11-22)semi-polarInGaNemittersfromgreentoamberonovergrownGaNonmicro-rodtemplates”,Appl.Phys.Lett.107,261103(2015).5、Y.Gong,K.Xing,B.Xu,andT.Wang,HighefficiencyGreen-yellowemissionfromInGaN/GaNquantumwellstructuresgrownonovergrownsemi-polar(11-22)GaNonregularlyarrayedmicro-rodtemplates,ECSTransactions66,151-155(2015).6、K.Xing,Y.Gong,X.Yu,J.Bai,andT.Wang,“Improvedcrystalqualityof(11-22)semi-polarGaNgrownonanano-rodtemplate”,Jpn.J.Appl.Phys.52,08JC03(2013).7、J.Bai,Y.Gong,K.Xing,X.Yu,andT.Wang,“Efficientreductionofdefectsin(11-20)non-polarand(11-22)semi-polarGaNgrownonnano-rodtemplates”,Appl.Phys.Lett.102,101906(2013).8、Y.Gong,K.Xing,andT.Wang,“OpticalgaininAlGaN/AlGaNmultiplequantumwellsgrownonhightemperatureAlNmultiplebuffers”,Phys.StatusSolidi8,7-8(2011).9、K.Xing,Y.Gong,J.Bai,andT.Wang,“InGaN/GaNquantumwellstructureswithgreatlyenhancedperformanceona-planeGaNgrownusingself-organizednano-masks”,Appl.Phys.Lett.99,181907(2011).10、Y.Gong,K.Xing,andT.Wang,“InfluenceofhightemperatureAlNbufferonopticalgaininAlGaN/AlGaNmultiplequantumwellstructures”,Appl.Phys.Lett.99,171912(2011).标签: 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院
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