个人简历

科研情况：主持国家自然基金青年，中国博士后基金（一等资助），机械结构强度与振动国家重点实验室开放课题各1项。参加科技部ITER计划专项2项，国家自然基金重点和面上项目5项，负责等离子体放电及其应用方面研究。已公开发表SCI论文五十余篇，获授权发明专利十多项。担任十余个国际知名刊物的特邀审稿人。多次参加等离子体相关的国际和全国会议的邀请报告。
教育及工作经历
2020年5月～至今，哈尔滨工业大学，准聘副研究员；
2017年7月～2020年4月，苏州大学，副教授；
2016年8月～2017年8月，美国普林斯顿大学 (PPPL)，访问学者，合作导师：吉瀚涛，Yevgeny Raitses；
2014年8月～2017年6月，苏州大学，讲师；
2012年9月～2014年3月，美国普林斯顿大学 (PPPL) ，等离子体物理，联合培养博士，导师：吉瀚涛，Yevgeny Raitses；
2010年9月～2014年6月，苏州大学，凝聚态物理，博士，导师：吴雪梅；
2010年3月～2010年9月，杭州华三通信技术有限公司，研发部，器件工程师；
2008年3月～2010年3月，和舰科技（苏州）有限公司，薄膜部门，制程高级工程师；
2005年9月～2008年7月，苏州大学，凝聚态物理，硕士，导师：吴雪梅；
2001年9月～2005年7月，南京师范大学，物理学，学士
学术成果
从2005年起开展等离子体源技术（螺旋波（HWP）、ECR，ICP/CCP等离子体源，双离子束源，磁控溅射源），等离子体诊断技术（探针，光谱，质谱能谱），等离子体与材料相互作用，功能涂层等离子体制备技术，离子束材料表面改性、二次电子发射（SEE）等研究工作，为“空间等离子体物理研究室”核心成员。
（1）等离子体源技术及与材料相互作用方面:
（a）首次完成了强磁场条件下新型HWP天线以及大功率（50kW）射频源设计和研制，实现了连续稳态的HWP放电；在此基础上，提出强磁场EAST的放电方案，成功实现EAST壁清洗实验，清除率高于EAST常规清洗对氘清除率的10-100倍。为具有自主知识产权的Tokamak壁处理提供有价值的科学参考。相关工作发表在Plasma Chemistry and Plasma Processing, IEEE Transactions on Plasma Science, Plasma Science and Technology上，并获授权发明专利1项。此工作得到了中国科学院等离子体物理研究所相关专家的充分肯定。
（b）首次搭建了强磁场（>8000 G）小尺寸（<10 mm）甚高频（60 MHz）高等离子体参数的HWP放电系统，并成功应用于管道内表面改性。为中科院等离子体物理研究所共设计了3套不同类型的HWP源系统：（I）设计了大尺寸（直径为1000 mm）HWP天线；（II）开发等离子体中等尺寸（直径为100 mm）强磁场（>7000 G）高功率（10 kW）HWP源系统；（III）中等尺寸（直径为100 mm）高密度（>1014 cm-3）稳态（>104 s）HWP系统。为国防科学技术大学磁约束等离子体推进器研制10 kW@1.56 MHz网络匹配系统。HWP稳定性和高参数性能得到了用户的一致肯定。
（c）首次研制了多频ICP/CCP混合放电等离子体系统。它具有两个特点：混合放电等离子体系统。它具有两个特点：1）由一组电容极和一组电感线圈搭配而成，包含ICP增强的CCP等离子体，或CCP增强ICP；2）施加在电容和电感极上的射频电压可以是单一频率，也可以是双频或三频率，形成多频放电。实现了离子能量，离子通量以及等离子体均匀性的独立控制；通过碳氟等离子体对SiC材料的刻蚀／沉积研究，找到了刻蚀／沉积的动态平衡参数，为具有自主知识产权的可控半导体刻蚀／沉积技术发展提供借鉴。相关工作发表在Plasma Processes and Polymers, Journal of Physics D: Applied Physics上，并获授权发明专利2项。此工作得到了审稿人的高度评价。
（d）开发了大气压宽幅（放电尺寸大于600 mm）辉光等离子体放电技术，并应用于电子材料表面清洗，开发了阵列式等离子体射流发射器，并应有于废气（工业废气，汽车尾气）处理。相关工作发表在IEEE Transactions on Plasma Science, Plasma Science and Technology上，并获授权发明专利2项。此工作得到了审稿人的高度评价。
（2）等离子体诊断技术方面:
（a）承担了ITER计划专项“低再循环准稳态高约束模式的实验研究（2011GB107000）——高场侧探针的研制”工作，完成了高场侧探针（单/三探针，马赫探针）的研制，探针的设计是参考了麻省理工学院在Alcator C-Mod装
置上的WASP探针结构，经变化和改进研制而成。在EAST上成功采集到高场侧等离子体参数数据，得到了同行专家的一致好评。
（b）师从美国普林斯顿大学吉瀚涛教授，开展磁探针设计、研制和诊断工作，已经得到初步研究结果，需要实验中不断修正，进一步完善，相关工作已获授权专利1项。
（c）师从美国PPPL霍尔推进器实验室/等离子体纳米实验室主任Yevgeny Raitses研究员，开展磁绝缘折流探针和发射探针等离子体诊断工作，相关工作已获授权专利1项。
（d）研制激光诱导荧光的诊断工作。通过理论计算结合实验调试，测得了磁化等离子体中离子能量等参数，为HWP放电的物理机制的理解提供有力的手段。
承担的科研项目
1、人才引进启动经费，金属管内螺旋波等离子体电磁调制特性研究，2020/07-2022/12，20万元，在研，主持
2、横向课题项目，ArF光刻胶材料的结构性能分析，2018/11-2019/11，5万元，在研，主持
3、横向课题项目，常压宽幅等离子体发生器研制，2017/10-2018/7，16万元，结题，主持
4、横向课题项目，磁探针阵列系统，2014/11-2015/11，19.8万元，结题，主持
5、国家重点实验室开放课题，多频等离子体可控制备石墨烯力学性质研究，2016/01-2017/12，10万元，结题，主持
6、国家自然科学基金青年项目，11505123，等离子体与壁相互作用的二次电子发射特性研究，2016/01-2018/12，25万元，结题，主持
7、中国博士后科学基金一等资助，156455，等离子体微纳超材料电磁特性及器件研究，2016/01-2017/12，8万元，结题，主持
8、国家自然科学基金重点项目，11435009，微纳、超材料的等离子体形成机理及关键技术基础研究，2015/01-2019/12，400万元，在研，参加
9、科技部, 国家磁约束核聚变能发展研究专项，2014GB106005，长脉冲H模的加料效率与壁滞留研究，2014/01-2018/12，718万，结题，参加
10、国家自然科学基金面上项目，11375126，强磁场射频调制螺旋波等离子体及Ⅳ族半导体纳米材料的制备，2014/01-2017/12，96万元，结题，参加
11、国家自然科学基金面上项目，11175126，螺旋波等离子体特性及与材料相互作用基础研究，2012/01-2015/12，76万元，结题，参加；
12、科技部, 国家磁约束核聚变能发展研究专项，2010GB106009，强磁场螺旋波等离子体物理及超导Tokamak壁清洗新技术，2010/05-2013/04，294万元，结题，参加
授权发明专利
（1）金成刚, 王钦豪，胡一波，王红颖，翁天昊，诸葛兰剑，吴雪梅，空气等离子体处理汽车尾气的装置及方法，2016.9.22,中国,ZL201610839872.6
（2）金成刚,吴磊,王心韵,田润,杨东谨,胡一波,诸葛兰剑，吴雪梅,空气等离子体处理废气的装置及方法，2016.08.24,中国,CN201510144834.4
（3）金成刚,黄天源,杨燕,杨东谨,胡一波,诸葛兰剑,吴雪梅,一种抑制二次电子发射的器件,2014.09.28,中国,ZL201410507722.6
（4）吴雪梅，黄天源，金成刚，於俊，诸葛兰剑，一种螺旋波天线系统，2015.09.02，中国，ZL201510554010.4
（5）吴雪梅，於俊，金成刚,黄天源，季佩宇，杨佳奇，诸葛兰剑, 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，2016.05.18，中国,ZL201610328633.4
（6）杨东瑾，金成刚，谭海云，吴雪梅，诸葛兰剑，王钦华，产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置及方法，2016.07.28,中国，CN201610602628.8
（7）胡一波,金成刚,田润, 牟之豫，诸葛兰剑,吴雪梅，一种高压高频源驱动的DBD等离子体放电装置，2015.10.09,中国,ZL201510645834.2
（8）诸葛兰剑,吴雪梅,金成刚,黄天源,王飞,韩琴,杨燕，一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，2016.03.31,中国,ZL201410125282.8
（9）诸葛兰剑，余涛，金成刚, 黄天源，吴明智，吴雪梅，一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，2016.03.30,中国,ZL201310015631.6
（10）诸葛兰剑，金成刚，余涛，徐轶君，杨燕，黄天源，吴明智，吴雪梅，叶超，一种石墨烯的制备方法，2016.01.27,中国,ZL201310233173.3

研究领域

1）射频等离子体放电技术，包含射频匹配、射频功率测量、天线设计，等离子体源技术，包含螺旋波等离子体源、ECR、ICP、CCP等；
2）等离子体诊断：静电探针，磁探针，磁绝缘折流探针、发射探针、减速场能量分析仪、发射光谱，质谱能谱，激光诱导荧光光谱；
3）低温等离子体与材料相互作用（高分子及金属异形件表面改性），离子束材料表面改性，功能薄膜材料制备及其表征，等离子体废气，废水及固废处理，二次电子发射。""

近期论文

1. Ma Xiao, Xu Dongsheng, Ji Peiyu, Jin Chenggang, et al., Vacuum, 2019, 6, 164: 355-360.
2. Haiyun Tan, Jin Chenggang, et al., Phys. Plasmas 26, 052107 (2019).
3. Haiyun Tan, Jin Chenggang, et al., IEEE Transactions on Plasma Science, 2019, 3, 47(8): 3986 - 3990.
4. Meili Cui, Jin Chenggang, et al., Optik, 2018, 2, 154: 280-285.
5. Chen Jiali, Ji Peiyu, Jin Chenggang, et al., Plasma Science and Technology, 2018, 12, 13, 21(025502).
6. Tan Haiyun, Jin Chenggang, et al., IEEE Transactions on Plasma Science, 2018, 3, 46(3): 539-544.
7. Ji Peiyu, Yu Jun, Huang Tianyuan, Jin Chenggang, et al., Plasma Science and Technology, 2018, 2, 20(2): 025505-025505.
8. Huang Tianyuan, Jin Chenggang*, et al., IEEE Transactions on Plasma Science 2018, 46(4): 895-899.
9. Zhang Guilu, Huang Tianyuan, Jin Chenggang*, et al., Plasma Science and Technology 2018.
10. Jin, Chenggang, et al., Journal of Applied Physics, 2017, 122(17): 173301.
11. Huang Tianyuan, Jin Chenggang*, et al., PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING. 2017,37(4):1237-1247.
12. Yang Jiaqi, Hu Yibo, Jin Chenggang, et al., Thin Solid Films, 2017, 9, 1, 637: 9-13.
13. Huang TianYuan, Jin Chenggang*, et al., Science China Physics, Mechanics & Astronomy, 2016,59(4).
14. Jin Chenggang*, et al., Plasma Processes and Polymers, 2015,12(10):1061-1068.
15. Jin Chenggang, et al., Journal of Materials Chemistry C, 2014, 2(16):2992-2997.
16. Jin Chenggang, et al., Journal of Physics D: Applied Physics. 2013,46(48).
17. Jin Chenggang, et al., Materials Chemistry and Physics, 2013,139(2-3):506-510.
18. Jin Chenggang, et al., Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2012,109(1):173-179.
19. Jin Chenggang, et al., Thin Solid Films 524 (1) 39-43 (2012).
20. Jin Chenggang, et al., Applied physics A 106:961–966 (2012)
21. Jin Chenggang, et al., Vacuum 86 1078-1082 (2012).
22. Jin Chenggang, et al., IEEE Transactions on Plasma Science, 99 11 (2011).
23. Jin Chenggang, et al., Physica E 43 1863–1866 (2011).
24. Jin Chenggang, et al., Thin Solid Films 518 (8) 2152-2156 (2010).
25.Jin Chenggang, et al., Applied Surface Science 255 (2009) 4711–4715.
26. Jin Chenggang, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 035005.
27. Jin Chenggang, et al., Research Letters in Physical Chemistry, 760650 (2008).
28. Jin Chenggang, et al., Frontiers of Materials Science in China, 1 (2):158-161 (2007).
29. 金成刚，吴雪梅，诸葛兰剑. 《SiC稀磁半导体材料的研究进展》，微纳电子技术2007年第十二期（1053）。
30. BAI Yang (柏洋)，JIN Chenggang (金成刚)，et al., Plasma Sci. Technol., 15(10): 1002-1005 (2013).
31.Y. Yang, Jin Chenggang, et al., Materials Chemistry and Physics 142, 479-483 (2013).
32. Y. Yang, C.G. Jin, Jin Chenggang, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. (2013).
33. T. Yu, Jin Chenggang, et al., Vacuum 16 1321–1327 (2013).
34. T. Yu, Jin Chenggang, et al., Vacuum 92 58–64 (2013).
35. T. Yu, Jin Chenggang, et al., J. Appl. Phys. 113, 044105 (2013).
36. T. Yu, Jin Chenggang, et al., Surf. Interface Anal. 44 395 (2012).
37. T. Yu, Jin Chenggang, et al., Applied Surface Science 258 2953–2958 (2012)
38. T.Y. Huang, Jin Chenggang, et al., Advanced Materials Research, (in press).
39. H Y Zhang, X M Yang, T Yu, Jin Chenggang, et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 46 435102 (2013).