石艳玲
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资料介绍
个人简历
教育经历1986-1993年,于华东师范大学攻读微电子学学士、硕士学位;1998—2001年,于华东师范大学攻读无线电物理理学博士学位。工作经历1993年至今,于华东师范大学从事教学、科研工作;2004.3—8月,前往比利时IMEC微电子研发中心从事130/90nm工艺技术研发。现任上海市科协集成电路专业委员会委员,华东师范大学微电子专业责任教授,获得高等教育上海市教学成果一、二等奖各1项,获评上海市科委科技启明星、上海市教委优秀青年教师等称号。与ICRD、华力微电子、华为海思等半导体企业长期合作,系统开展130/90/40/22nm/7nm及以下工艺代器件、后摩尔时代新型器件研究,以产业标准开展器件模型研发及精准参数提取。承担国家“核高基”重大科技专项子课题、国家自然科学基金等项目20余项,在IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Transactions On Device And Materials Reliability等微电子器件顶级期刊、国际会议及国内核心期刊发表学术论文80余篇,申请发明专利近30项。专注研究领域及成果包括:(1)VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等;(2)VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模;(3)MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析;(4)各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计;(5)后摩尔时代新型器件及单元电路设计。开授课程本科必修,《半导体器件原理》本科必修,《集成电路工艺原理》硕士研究生必修,《VLSI工艺技术》科研项目1、国家科技部重大专项子课题,“22nm FDSOI产业化”—“后道互连建模”,2017/01—至今;2、华为海思合作项目,“PEX&MRAM建模”,2020/01—至今;3、国家科技部重大专项子课题,“40nm成套产品工艺和IP-1” —“器件模型及参数提取”,2009/01—2013/054、国家自然科学基金面上项目,“深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究”,2016/01—2019/125、上海市自然科学基金,“深纳米工艺代栅围寄生效应及其精准建模研究”,2014/07---2017/066、上海市科委,“RF-SOI CMOS 电路设计研究”,2008/09—2010/097、上海市科委国际合作项目,“射频平面螺旋电感的电感值算法及硅基集成技术研究”,2008/01—2009/128、上海市科委科技启明星计划,“先进RF-CMOS/BiCMOS 技术无源片上电感模型分析及应用”,2004/10—2007/109、国家自然科学基金青年基金,“射频硅基开关线型MEMS 移相器研究,2004/1—2004/12专注研究领域及成果包括:(1)VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等;(2)VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模;(3)MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析;(4)各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计;(5)后摩尔时代新型器件及单元电路设计。荣誉及奖励1、2019年,获得华东师范大学教学贡献奖;2、2017年,获得高等教育上海市教学成果一等奖;3、2017年,获得高等教育上海市教学成果二等奖一项;4、2018年,获评华东师范大学“学生心目中最优秀教师奖”;5、2004年,获评上海市科委科技启明星称号;6、2004年,获评上海市教委优秀青年教师称号。研究领域
聚焦集成电路核心器件模型及电路应用研究,系统开展130/90/40/22nm/7nm及以下工艺代器件、后摩尔时代新型器件研究,以产业标准开展器件模型研发及精准参数提取。"(1)VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等;(2)VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模;(3)MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析;(4)各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计;(5)后摩尔时代新型器件及单元电路设计。"上海市科协集成电路专业委员会委员 相关热点