个人简历

近几年主要研究成果：主持省级项目二项；出版专著一部；发表SCI、EI期刊论文十余篇。
从事电子专业教学工作，给本科生授课课程《模拟电子技术》、《数字电子技术》等。

研究领域

半导体器件物理。""

近期论文

Xin Yan-hui, Yuan Sheng, Liu ming-tang, Liu Hong-xia, Yuan He-cai.Two-dimensional models of threshold voltage and subthreshold current forsymmetrical double-material double-gate strained Si MOSFETs[J]. Chinese Physics B , 2016, 25(3): (SCI: 000375647400071)
辛艳辉，刘红侠，范小娇，卓青青．单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型[J]．物理学报，2013,62(10):108501.(SCI:000319869300065)
辛艳辉，刘红侠，范小娇，卓青青．非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型[J]．物理学报，2013,62(15):158502.(SCI:000323650000072)
辛艳辉，刘红侠，王树龙，范小娇．对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型[J]．物理学报，2014,63(14):148501.(SCI:000340638900052)
辛艳辉，刘红侠，王树龙，范小娇．堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型[J]．物理学报，2014,63(24):248502.(SCI: 000347610900055)
辛艳辉，袁合才，李佼佼．稀土掺杂NaGdF4纳米颗粒的制备与强近红外上转换特性[J]．材料热处理学报，2013,34(3):26-29.(EI:20131716238398)