个人简历

周广东，男，于1986年生于贵州省 盘州市 鸡场坪镇，2013年9月正式入职贵州理工学院。在2013.9-2015.9月先后担任理工学院资源与环境工程学院辅导员，班主任，任职期间主持学生党建课题研究一项。
他主要承担贵州理工学院理学院《大学物理》，《大学物理实验》以及《影视赏析》等课程教学工作，在教学工作中，成绩优异，随后获得贵州理工学院2015年度 “优秀教师” 称号。
2010年其以优异的考研分数(387, 其中量子力学141）考入西南大学物理与科学技术学院，凝聚态物理专业。在2010.7-2013.7年的研究生涯中其研究的领域包括非磁氧化物纳米弱磁行为，高介电常数氧化薄膜电荷存储特性以及忆阻器原理的基础研究。2013.07-至今，周广东老师并取得了一定的进展。其研究的工作发表于许多国际著名期刊。作为主研骨干参与国家自然基金面上项目(11274257)，主持中央高校基本项目(XDJK2017D002)，本科就读期间 获国家励志奖学金、国家奖学金，攻读硕士研究生期间 获一等奖学金， 攻读博士期间获 博士国家奖学金。

研究领域

主要研究集中于块体材料、纳米材料忆阻行为机理的研究""

近期论文

1. G.D. Zhou, B. Sun, Y. Yao, H.Zhang, A.Zhou, K.Alameh, B. Ding, Q. Song, Investigation of the behaviour of electronic resistive switching memory based on of MoSe2-doped ultralong Se microwires,Appl. Phys. Lett,2016, 109,143904. IF=3.411 [SCI 2区物理TOP]
2. G. D. Zhou,*B. Wu, X. Liu, P. Li, S. Zhang, B. Sun, A. Zhou, Two-bit memory and quantized storage phenomenon in conventional MOS structures with double-stacked Pt-NCs in an HfAlO matrix,Phys. Chem. Chem. Phys., 2016, 18, 6509-6514. IF=4.449 [SCI 1区物理与原子分子]
3. G. D. Zhou,*W. Zhao, X. Ma, A. K. Zhou, Current-voltage hysteresis of the composite MoS2-MoOx<3nanobelts for data storage,J. Alloys. Compounds,2016, 679, 47-53. IF=3.133 [SCI 2区工程技术TOP]
4. G.D. Zhou,* L. H. Xiao, S. J. Zhang, B. Wu, X. Liu, A. K. Zhou, Mechanism for an enhanced resistive switching effect of bilayer NiOx/TiO2resistive random access memory,J. Alloys. Compounds,2017, IF=3.133 [SCI 2区工程技术TOP]
5. G. D. Zhou, B. Wu, X. Liu, Z. Li, S. Zhang, A. Zhou, X. Yang, Resistance switching characteristics of coreeshell r-Fe2O3/Ni2O3nanoparticles in HfSiO matrix,J. Alloys. Compounds,2016, 678 31-35. IF= 3.133 [SCI 2区工程技术TOP]
6. G. D. Zhou,* B.Sun, B. Wu, X.Q. Liu, S.J. Zhang, A. Zhou,Bipolar resistive switching memory behaviors of the micro-size composite particles,Composite. Structures，2017, 166，177-183. IF=3.858 [SCI 2区复合材料]
7. G. D. Zhou,B. Wu,* Z. Li, Z. Xiao, S. Li, P. Li, Memory characteristics and tunneling mechanism of Pt nano-crystals embedded in HfAlOx films for nonvolatile flash memory devices,Curr. Appl. Phys.2015, 15 , 279-284. IF=2.222 [SCI 3区物理学]
8. G. D. Zhou, B. Sun, A. Zhou. B. Wu,* A Larger Nonvolatile Bipolar Resistive Switching Memory Behaviour Fabricated using Eggshells,Curr. Appl. Phys.2017, 17, 235-239. IF=1.987 [SCI 3区物理学]
9. G. D. Zhou, Z. S. Lu, Y. Q. Yao, G. Wang, X. D. Yang, A. K. Zhou, P. Li, B. F. Ding, Q. L. Song,*Mechanism for bipolar resistive switching memory behaviors of a self-assembled 3-demension MoS2microsphere composed active layer,J. Appl. Phys, 2017,121, 155302. IF=2.056 [SCI 3区应用物理学]
10. G. D. Zhou,*Y. Yao, X. Zhao, X. Liu, B. Sun, A. Zhou, Band gap energies for white nanosheets/yellow nanoislands/purple nanorods of CeO2,RSC Adv., 2016, 6, 59370-59374. IF=3.832 [SCI 2区物理化学]
11. G.D. Zhou, Y. Q. Yao, Z. S. Lu, X. D. Yang, J. J. Han, G. Wang, X. Rao, P. Li, Q. Liu, Q. L. Song, Hydrogen peroxide modified egg albumen for transparent and flexible resistive switching memory, ,Nanotechnology, 2017, IF= 3.44 [SCI 2区应用物理学TOP]
12. G. D. Zhou, S. Y. Zhang, Y. T. Tu, J. Li, P. Chen, J. Y. Dai, and X. Y. Qiu, Anisotropy of Weak Ferromagnetism of HfAlOx Film Deposited by Magnetron Sputtering，Integrated Ferroelectrics, 2012(134): 13-15 IF=0.45 [SCI 4区磁学，工程技术]
13.周广东,陈显峰,涂雅婷,刘志江,李建,陈鹏,邱晓燕，同气氛沉积和后退火处理的HfOx<2薄膜的弱铁磁性,《中国科学：物理学力学天文学》2012, 42(9): 926-933.