个人简历

2005年在日本大阪大学基础工学部奥山雅则教授研究所作访问研究。\r
2006年入选广西高校百名中青年学科带头人资助计划。

研究领域

""1、压电、铁电材料与器件\r
以压电、铁电器件应用为目标研究铁电陶瓷和薄膜材料制备、结构、性能及器件应用，重点研究以Si集成器件应用的无铅铁电薄膜及其搀杂改性和多层铁电薄膜以及铁电二极管、铁电场效应晶体管，无铅压电陶瓷等。该方向发表论文30余篇，其中SCI、EI收录26篇，“Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备方法”于2005年8月获国家发明专利（专利号：ZL01138333.X），“Si基铁电薄膜及MFS结构铁电存储器件制备关键工艺研究”获2007年度广西科技进步三等奖。 \r
2、光电功能材料及应用\r
以平面显示器件、太阳能电池等应用为背景研究开发新型透明导电氧化物薄膜，重点研究氧化锌基导电靶材及其透明导电薄膜，全透明异质结、p-n结，太阳能光伏电池相关薄膜材料等，发表论文20余篇，其中被SCI、EI收录12篇。""""

近期论文

1、Effect of Mg content on structure and properties of MgxZn1?xO:Al UV transparent conducting films. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2010, 21(11): 1115-1118 (SCI、EI收录)\r
2、Low temperature synthesis of sol–gel derived Al-doped ZnO thin films with rapid thermal annealing process. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2010, 21(6): 589-594(SCI、EI收录)\r
3、Effects of annealing temperature and thickness on microstructure and properties of sol–gel derived multilayer Al-doped ZnO films. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2010, 21（2）: 145-148(SCI、EI收录)\r
5、Microstructure and properties of Al-doped ZnO thin films by nonreactive DC magnetron sputtering at room temperature following rapid thermal annealing. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2010, 21（1）: 33-37(SCI、EI收录)\r
6、Effects of Mg-doping on structure and electric properties of MgxZn1-xO:Al ceramics. Advanced Materials Research，2010，97-101：475-478(EI收录)\r
7、Effects of Nb doping on dielectric and ferroelectric properties of Bi4Ti3-xNbxO12+x/2 ceramics. Advanced Materials Research，2010，97-101：461-464(EI收录)\r
8、Room temperature deposition and properties of ZnOAl thin films by nonreactive DC magnetron sputtering. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2008，19(11)：1135-1139. (SCI、EI收录)\r
9、Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响. 工晶体学报，2010，39（5）：1206-1210 (EI收录)