个人简历

周琦，博士。2012年毕业于香港科技大学获博士学位，同年加入电子科技大学微电子与固体电子学院。 专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓（GaN）功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN（GaN-on-Si）栅控横向功率整流器新结构，器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术，利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件性能达到国际领先水平。研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。目前已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文52篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。参加国际重要学术会议15次，邀请报告1次，口头报告4次。申请中国发明专利5项。被IEEE-TED和IEEE-EDL评为2013及2014年度金牌审稿人(Golden Reviewers)。 教育背景 2008.08－2012.08 香港科技大学，电子与计算机工程专业，博士学位 2004.08－2007.04 西安电子科技大学，电子工程专业，硕士学位 2000.09－2004.06 西安电子科技大学，电磁场与微波专业，学士学位 工作经历 2017.08-至今 电子科技大学， 特聘研究员（电子科技大学“百人计划”） 2015.07-2017.07 电子科技大学， 副教授 2012.08-2015.06 电子科技大学， 讲师 2007.04-2008.07 摩比天线技术（深圳）有限公司，主任工程师/项目经理

研究领域

专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究，尤其在氮化镓（GaN）功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。

近期论文

52. Wanjun Chen, Hong Tao, Lunfei Lou, Chao Liu, Wu Cheng, Xuefeng Tang, Hongquan Liu, Qi Zhou,Xiaochuan Deng, Zhaoji Li, Bo Zhang, Member, IEEE, \