个人简历

1982年7月毕业于天津市南开大学物理系，2001年结业于吉林大学在职研究生班。 1982年于沈阳某微电子研究所参加工作： 1982年~1985年，任离子注入工艺技术员 1985年~1993年，负责蒸发、溅射工艺技术负责。 1991年~1994年，从事器件工程师工作，先后承担过若干种NMOS、CMOS电路的研制工作，负责器件的工艺设计、工艺串线及工艺调整。 1995年~1999年任研究所芯片研制中心工艺线线长，负责工艺线所有器件（包括NMOS、CMOS、TTL器件）的工艺设计，工艺实施、工艺调整及生产管理。高级工程师 1999年~2001年，任研究所芯片研制中心副主任。研究员 2001年~2006年任研究所芯片研制中心主任。 2006年任研究所副总工师。 2006年任电子科技大学光电信息学院研究员。

研究领域

肖特基TTL电路多层电极技术研究； 难熔金属及硅化物技术研究； 高温定薄膜电阻技术研究； VLSI高性能LDDMOSFET工艺研究； 特种内存多层多晶结构的生成、及腐蚀工艺研究； 特种内存优质薄层栅氧化特性研究； 抗辐照工艺技术研究； 红外焦平面双阈值、双层多晶工艺技术研究; 现从事研究方向： MEMS工艺技术研究； 光电集成器件技术研究等。