个人简历

1985年在四川大学物理系获理学学士学位；2002在电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得硕士学位；1985年至今在电子科技大学微电子与固体电子学院从事教学和科研工作。2005年曾赴澳大利亚墨尔本维多利亚大学进行短期学习进修；主讲本科专业基础课程《固体物理》和《量子力学与统计物理 》。 先后主持或主研参与了国家973项目子专题、部级共性支撑项目、国家重点实验室项目及多项横向合作项目等共10余项科研任务。

研究领域

主要研究领域为应变Si材料生长、异质结理论与建模仿真、应变Si器件新结构设计、关键工艺流片、测试表征分析和工程化应用探索等领域的研究。

近期论文

[1]Li Jingchun, Tan Jing, Yang Mohua, Zhang Jing, Xu Wanjing, ” StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual s ubstrate”, Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293 [2]Li Jingchun, Tan Jing, Fabrication Strained-Si channel MOSFETs on Ultra thin virtual SiGe substrates， JOURNAL OF ELECTRONICS, 2006, 23(2), 266~268StrainedSi PMOSFET on very thin SiGe virtual substrate”, Chinese Journal of Semiconductors ,2005, 26(6):288~293 [3]李竞春，谭静，梅丁蕾，张静，徐婉静，“采用低温Si技术的Si/SiGe异质结P-MOSFET”，固体电子学研究与进展， 2006，26(2):162~165 [4]J李竞春，韩春，周谦，张静，徐婉静，“240nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET”，电子科技大学学报， 2007, 36(1):126~128Photocatalytic Property of Surface Modified TiO2，Advanced Materials Research，2012， 399-401：1481-1486 [5] 李竞春,杨洪东,杨阳,局部双轴应变SiGe材料的生长与表征,浙江大学学报，2011,45(6)：1048~1051 [6] Li Jingchun, Mei Dinglei, Yang Mo-Hua,Strain Si Channel Heterojuntion pMOSFET Using 400℃ LT- Si Technology，半导体学报，2004，25(10):1221~1225 [7] Gate oxide prepared by nanometer silicon wet oxidation at low temperature for Si/SiGe PMOSFET application”, Semiconductor Science and Technology, 2001， Vol.16, Aug. [8] Li Jingchun,Tan Jing, Xu Wanjing, Zhang Jing, Tan Kaizhdu, Yang Mohua, “Si/SiGe PMOSFET USING P+ IMPL