李世彬
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资料介绍
个人简历
本科和硕士就读于吉林大学,2008年7月于电子科大光电信息学院获工学博士学位。2008年9月至2011年7月先后在美国肯塔基大学和阿肯色大学从事博士后研究工作。研究领域为半导体(硅,氮化镓等)材料特性及相关光电子器件。截至2012年9月,共计发表在Applied Physics Letters, Nanoletters等学术期刊上论文50余篇,其中SCI检索超过30篇;来电子科技大学参加工作后,作为负责人承担国家级项目两项;长期受邀为IEEE Electron Device Letters,Nanotechnology,Electrochemical and Solid-State Letters,Journalof Physics D: Applied Physics,Nanoscale Research Letters等10余SCI期刊审稿人研究领域
1)硅基薄膜光电子器件制备与特性,硅基薄膜生长与表征;2)宽禁带半导体(GaN等)光电子器件;3)微电子薄膜电容器; 相关热点
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