个人简历

1985年本科毕业于中国科技大学物理系； 1987年获日本文部省奖学金赴日本东京大学攻读博士学位； 1992年获工学博士学位； 1992年至1996年在日本奥林巴斯(Olympus)株式会社任主管工程师。在此期间，因发明专利众多(包括日本发明专利七项和美国发明专利一项)，获颁1994年公司最高荣誉奖---奥林巴斯社长(总裁)奖； 1996至2000年，以李光耀杰出博士后身份，在新加坡国立大学电子工程系任高级研究员。在此期间，出版英文学术专著二部，获得美国和新加坡授权发明专利各一项以及发表SCI收录学术论文二十余篇； 2000至2003年在美国硅谷高科技公司Nova Crystals任高级工程师，从事蓝光LED的晶体生长和工艺技术以及光通讯用面发光半导体激光器的研发工作；2004至2006年在加拿大Simon Fraser大学MOCVD研究中心任研究科学家，从事GaAsSb异质结双极晶体管(HBT)的研发工作； 2006至2008年回国任无锡蓝星电子有限公司总经理，主持氮化镓基高亮度蓝光LED的研发工作； 2009年2月起任东南大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。

研究领域

一直从事化合物半导体材料和器件,如LED,HBT,半导体激光器等的研发工作。目前正在开展以氮化镓(GaN)为基础的宽禁带半导体材料和器件,特别是高亮度蓝光及紫外LED的研发工作。