个人简历

贾婧媛，大连理工大学光电工程与仪器科学学院讲师。2019年2月获得成均馆大学（韩国）工学博士学位，成均馆大学QS世界排名100，泰晤士报排名82. 于2019年3月正式进入大连理工大学担任讲师。目前主要研究方向包括多种二维材料的合成、制备、表征以及二维材料在光电方面应用的研究等。目前已发表SCI论文5篇（影响因子(IF)之和>30，包括学科顶级期刊ACS Nano、Chemistry of Materials、Small、Applied Physics Letters、Applied Surface Science等 。

专利：
韩国专利 “Surface treatment method of 2-dimensional thin layer and method of manufacturing an electric element” Patent number: 10-1884977


教育经历

2013.9 -- 2019.2
韩国成均馆大学 纳米科学与技术 博士

2009.9 -- 2013.6
大连理工大学 电子科学与技术 学士

2008.9 -- 2009.6
冀州中学 无

2005.9 -- 2008.6
临城中学 无
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工作经历

2019.3 -- 至今
大连理工大学光电工程与仪器科学学院 讲师

其它荣誉
大连市城市发展紧缺人才（2019年）

研究领域

• 单层石墨烯的化学气相沉积制备方法（CVD）以及石墨烯的掺杂和打开带隙的方法。
• 基于低维度材料以及它们堆叠而成的范德华异质结和混合体系制备光电探测器、光伏器件。
• 通过等离子体技术对二维黑磷材料的表面进行处理（控制材料厚度，表面粗糙度和化学成分）以实现高性能的场效应晶体管。
• 通过化学掺杂、等离子轰击等方法对二维半导体进行改性，调节其载流子类型、浓度，器件开闭比以及载流子迁移率。
• 形成纳米粒子-二维材料异质结光电探测器，实现高灵敏度和高响应率的红外线探测器。"多种二维材料的化学气相沉积制备方法（CVD）以及液相，机械剥离方法。
基于低维度材料以及它们堆叠而成的范德华异质结和混合体系制备光电探测器、光伏器件。
通过等离子体技术对二维材料的表面进行处理（控制材料厚度，表面粗糙度和化学成分）以实现高性能的场效应晶体管。
通过化学掺杂、等离子轰击等方法对二维半导体进行改性，调节其载流子类型、浓度，器件开闭比以及载流子迁移率。
形成0维-二维材料异质结光电探测器，实现高灵敏度和高响应率的红外线探测器。"

近期论文

1. Jingyuan Jia, Sumin Jeon,Jaeho Jeon,Jiao Xu,Young Jae Son,Jeong Ho Cho,Byoung Hun Lee,Jin Dong Song,Hyung‐Jun Kim,Euyheon Hwang,Sungjoo Lee.Generalized Scheme for High Performing Photodetectors with ap‐Type 2D Channel Layer and n‐Type Nanoparticles. Small 14.9 (2018): 1703065. （IF=9.598, 一区）

2. Jingyuan Jia, Jiao Xu, Jin-Hong Park, Byoung Hun Lee, Euyheon Hwang,Sungjoo Lee. Multifunctional Homogeneous Lateral Black Phosphorus Junction Devices. Chemistry of Materials 29.7 (2017): 3143-3151. (IF=9.890, 一区)
3. Jingyuan Jia, Sung Kyu Jang, Shen Lai, Jiao Xu, Young Jin Choi, Jin-Hong Park, and Sungjoo Lee. Plasma-treated thickness-controlled two-dimensional black phosphorus and its electronic transport properties. ACS nano 9.9 (2015): 8729-8736. (IF=13.709, 一区)
4. Sumin Jeon,Minwoo Kim,Jingyuan Jia,Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Young Jae Song. Controlled p-doping of black phosphorus by integration of MoS2 nanoparticles. Applied Surface Science, 440, 282-287. (2018) (二区)
5. Jiao Xu,Jingyuan Jia,Shen Lai,Jaehyuk Ju,Sungjoo Lee. Tunneling field effect transistor integrated with black phosphorus-MoS2 junction and ion gel dielectric. Applied Physics Letters, 110(3), 033103. (2017) (一区)