个人简介

鲁麟, 男，安徽芜湖人，1980年生，教授，硕士生导师，安徽工程大学学科骨干。受教育经历1999/09-2003/07, 南京大学, 微电子与固体电子学专业, 学士2003/09-2009/07, 北京大学, 微电子与固体电子学专业, 博士研究工作经历2009/07-2011/12, 日本名古屋工业大学, 纳米器件研究中心, 博后研究员2011/12-2013/12, 太原理工大学(211), 副教授(硕导)2013/12-2018/08, 安徽工程大学，电气工程学院, 副教授 (硕导)2018/9-至今, 安徽工程大学，电气工程学院, 教授 (硕导) 讲授课程《电工学II》、《半导体材料光电原理》、《半导体材料及器件的制备》、《半导体光电材料与器件检测》 科研项目1.基于脉冲沉积和InN嵌入法的高In组分InGaN及其量子阱结构的外延生长和光学性质研究, 国家自然科学基金, 61306108, 主持;2.GaN基InGaN量子阱LED中的缺陷结构与性质的研究, 教育部留学回国人员科研启动基金, 2013693, 主持;3.面向绿光LED应用的高In组分InGaN量子阱的制备和性能提升的研究, 安徽工程大学引进人才科研启动基金, 2014YQQ005, 主持;4.大功率白光LED器件及材料, 山西飞虹微纳米光电科技有限公司, 横向项目, 主持;纳米光电材料及器件核心技术山西省科技创新重点团队, 山西省科技创新重点团队, 2012041011, 骨干成员;5.受限半导体量子体系调控及光学、输运性质研究, 国家重大基础研究计划项目课题, 2006CB921607,骨干成员;6.信息功能材料相关基础问题研究, 国家”973”计划项目子课题, 2006CB604908, 骨干成员;7.军用高性能宽禁带半导体微波功率器件, 国防科工委重大基础研究计划项目子课题, 骨干成员;8.AlxGa1-xN/GaN低维异质结构与微电子器件, 教育部高等学校科技创新工程重大项目, 705002, 骨干成员;9.AlGaN/GaN异质结及二维电子气输运性质研究, 北京市自然科学基金, 4062017, 骨干成员。

研究领域

1. 微电子与固体电子学(信息功能材料与器件研制)2. 半导体光电子材料与器件(发光二极管LED、激光器LD、太阳能电池SC及微波器件)

近期论文

1. Lin Lu*, Yu Zhang, Fujun Xu, Gege Ding, Yuhang Liu, “Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via Al-composition graded quantum wells”, Superlattices and Microstructures,118, 55 (2018) 2. Lin Lu*, Yuhang Liu, Guangzhen Dai, Yu Zhang, Gege Ding, and Qi Liu, “Effect of lattice structure changes caused by Al component on optical properties of AlGaN materials”, Optik, 164, 72 (2018) 3. Lu L*, Ding G G, Zhang Y, Liu Y H, and Xu F J, “Improved performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode using modulated-taper design for p-AlGaN layer”, Semiconductor Science and Technology,33, 035008(2018) 4. Lin Lu*, Zhi Wan, FuJun Xu, Bo Shen, Chen Lv, Ming Jiang, and QiGong Chen, “Improving performance of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by inserting a higher Al-content AlGaN layer within the multiple quantum wells”, Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 214, 1700461 (2017)5. Lin Lu*, Zhi Wan, FuJun Xu, XinQiang Wang, Chen Lv, Ming Jiang, and QiGong Chen, “Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via Si-doping design of quantum barriers”, Superlattices and Microstructures,109, 687 (2017)6. Lin Lu*, Zhi Wan, FuJun Xu, XinQiang Wang, Chen Lv, Bo Shen, Ming Jiang, and QiGong Chen, “Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via asymmetric step-like AlGaN quantum wells”, Superlattices and Microstructures,104, 240 (2017)7. Lin Lu*, Ming-Chao Li, Chen Lv, Wen-Gen Gao, Ming Jiang, Fu-Jun Xu, and Qi-Gong Chen, “Comparision of Ga-and N-polarity InGaN solar cells with gradient-In-composition intrinsic layers”, Chinese Physics B,25, 10 (2016)8. LU Lin*, LI Ming-chao, XU Fu-jun, JIANG Ming, and CHEN Qi-gong, “Study of The n-i-p Type InGaN Solar Cells with Graded In Composition”, Chinese Journal of Luminescence,37, 682 (2016) 9. L. Lu*, H.H.Zhen, and B.S. Xu, “Correlation Between The Morphology of Threading Dislocations and The Origin of High-resistivity GaN”, Chinese Journal of Luminescence,34, 1607 (2013)发明专利1. 苗艳勤, 鲁麟, 王华, 袁树青, 刘慧慧, 贾虎生, “左氧氟沙星在有机电致发光器件中的应用”, 2013.1, 中国, 201210158688.72. 鲁麟，李明潮，刘畅，吕琛，江明，“一种低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法”， CN201510395293.2；