个人简介

个人简历 彭春雨，男，1987年12月生，安徽大学电子信息工程学院讲师。近年来以核心成员参与国家核高基重大专项项目两项;参与国家高技术研究发展计划(863计划)项目子课题一项;参与国家自然科学基金项目5项，主持国家自然科学基金项青年项目一项。发表SCI/EI收录论文20余篇，获得发明专利授权6项；担任《IEEE Transaction on VLSI system》、《IEEE ACCESS》、《IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and System》、《IET Circuits, Devices & Systems》、《Microelectronics Journal》 《IEEE Solid-State Circuits Letters》《电子学报》等相关领域SCI期刊审稿人。 学术成果 彭春雨，李正平，谭守标，陶有武，卢文娟，闫锦龙，周永亮，陈军宁，一种串行双端复制位线电路, 2014.12.08,中国，CN201410746948.1发明专利 彭春雨，陶有武，卢文娟，闫锦龙，陈军宁，李正平，谭守标，吴秀龙， 一种双端流水线型复制位线电路, 2015.01.13,中国，CN201510017119.4发明专利 在研项目 自然科学基金青年项目：基于阻变存储器的NVSRAM存储系统研究，61804001， 2019.01-2021.12，24万，主持

研究领域

1.超大规模集成电路与系统 2.高速低功耗静态随机存储器及其可靠性设计 3.存算一体化芯片设计

近期论文

[1] Chunyu Peng, et.al. Radiation-Hardened 14T SRAM Bitcell With Speed and Power Optimized for Space Application. IEEE Trans.VLSIS, Vol.27(2), pp:407-415, 2019 [2] Chunyu Peng, et.al., Average 7T1R Nonvolatile SRAM With R/W Margin Enhanced for Low-Power Application. IEEE Trans.VLSIS,, Vol.26(3), pp:584-588, 2018 [3] Chunyu Peng, et.al., Offset voltage suppressed sense amplifier with self adaptive distribution transformation technique. IEICE Electronics Express, Vol.15(10), pp: 20180332, 2018 [4] Chunyu Peng, et.al., A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell. IEICE Electronics Express, Vol.14(18), pp: 20170784, 2017 [5] Chunyu Peng, et.al., Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application. IEICE Electronics Express, Vol.13(12), pp:20160382 , 2016 [6] Chunyu Peng, et.al., Additive-Calibration Scheme for Leakage Compensation of Low Voltage SRAM. IEICE Electronics Express, Vol.13(18),pp:20160720, 2016 [7] Chunyu Peng, et.al., A novel cascade control replica-bitline delay technique for reducing timing process-variation of SRAM sense amplifier. IEICE Electronics Express, Vol.12(5), pp:20150102, 2015